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特征：
HVCMOS®技术带来高性能
极低的静态功耗（-10μA）
输出导通电阻通常为11Ω
低寄生电容
直流至50MHz小信号频率响应
在5.0MHz时具有-60dB的典型隔离度
摘要
HV219是一款低开关电阻，低电荷注入，8通道200V模拟开关集成电路（IC），主要用于医学超声成像。该设备还可用于NDE（非破坏性评估）应用。 HV219是HV20220器件版本，开关电阻较低，为11O而不是22O。较低的开关电阻将有助于减少插入损耗。它与HV20220PJ和HV20220FG的引脚配置相同。该器件采用HVCMOS®（高压CMOS）技术制造，具有用于输出的高压双边DMOS结构和用于输入控制的低压CMOS逻辑。输出配置为八个独立的单刀单掷11O模拟开关。输入逻辑是一个8位串行到并行移位寄存器，后跟一个8位并行锁存器。开关状态由锁存器中的数据确定。逻辑高电平对应于闭合开关，逻辑低电平对应于断开开关。 HV219设计为可在各种高压电源组合上运行。例如，VPP和VNN电源可以是：+ 40V / -160V，+ 100V / -100V或+ 160V / -40V。这允许用户最大化单极性负，双极性或单极性正的信号电压。
附加的功能
HVCMOS®技术带来高性能
极低的静态功耗（-10μA）
输出导通电阻通常为11Ω
低寄生电容
直流至50MHz小信号频率响应
在5.0MHz时具有-60dB的典型隔离度
CMOS逻辑电路，低功耗
出色的抗噪能力
带锁存器的串行移位寄存器逻辑控制
灵活的工作电源电压
表面贴装套件
Parametrics
Name
Value
Interface
Serial
Configuration
8-SPST
Supply Voltage Vpp - Vnn (V)
200
Analog Signal Voltage (V)
180
Switch Current (A)
±2
Switch Resistance typ (Ω)
8
Package
PLCC-28, LQFP-48
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