描述：SI4435DDY-T1-GE3
P通道30V（D-S）MOSFET
特征：SI4435DDY-T1-GE3
•无卤，符合IEC 61249-2-21
定义
•TrenchFET®功率MOSFET
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用领域：SI4435DDY-T1-GE3
•负荷开关
•电池开关
制造商:SI4435DDY-T1-GE3
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
11.4 A
Rds On-漏源导通电阻:
24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
50 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
5 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
TrenchFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
系列:
SI4
晶体管类型:
1 P-Channel
商标:
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:
23 S
下降时间:
12 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
45 ns
典型接通延迟时间:
10 ns
零件号别名:
SI4435DDY-GE3
单位重量:
187 mg
