描述：IXFH34N65X2
N通道增强模式雪崩额定
特征：IXFH34N65X2
国际标准包装
低RDS（ON）和QG雪崩等级
低封装电感
好处：IXFH34N65X2
高功率密度
易于安装
节省空间
应用领域：IXFH34N65X2
开关模式和谐振模式
电源
DC-DC转换器
PFC电路
交流和直流电动机驱动器
机器人和伺服控制
制造商:IXFH34N65X2
IXYS
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-247-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
650 V
Id-连续漏极电流:
34 A
Rds On-漏源导通电阻:
105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.7 V
Qg-栅极电荷:
56 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
540 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
HiPerFET
封装:
Tube
系列:
650V Ultra Junction X2
商标:
IXYS
正向跨导 - 最小值:
14 S
下降时间:
16 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
45 ns
工厂包装数量:
30
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
47 ns
典型接通延迟时间:
46 ns
单位重量:
1.600 g
