描述：STN3NF06L
N通道60 V，0.07Ω（典型值），4 A STripFET™II
采用SOT-223封装的功率MOSFET
该功率MOSFET系列实现了
意法半导体独特的STripFET™工艺专为减少输入而设计电容和栅极电荷。 因此非常理想作为高级高效的主要开关用于电信和电信的隔离式DC-DC转换器
计算机应用程序。 也适用于任何低栅极电荷驱动的应用要求。
特征：STN3NF06L
最大订购号VDS RDS（on） ID
STN3NF06L 60 V 0.1Ω4 A
出色的dv / dt功能
经过100％雪崩测试
低阈值驱动
应用领域：STN3NF06L
切换应用
制造商:STN3NF06L
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-223-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
4 A
Rds On-漏源导通电阻:
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
7 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
3.3 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
STripFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.8 mm
长度:
6.5 mm
系列:
STN3NF06L
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
3.5 mm
商标:
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:
3 S
下降时间:
10 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
25 ns
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
20 ns
典型接通延迟时间:
9 ns
单位重量:
250 mg
