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BSP299L6327

发布时间:2019/10/9 17:15:00 访问次数:34 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-SOT223-4
7122-1060
71226-1624
7122-1814-40
7122-6326-30
7122-4113-30
48147-1010
48147-0410
510AG91D10ES
CAT25160VI
CAT25160LIG
CAT25160 VP2
CAT25128VI-GT3
SKB5208
SKB15N60
SKB15N60E8151
SKB15N60E3045A
PKF4610SI
PKF4611PI
LMV761MF/NOPB
EL6936CLZ
BSP299L6327
2223208
22232031
22232091
22232081
22232021
22232041
CFZ-218
CFZ-208
M54V16258B45
WDS5511-09MM-02RC
9674061
MAX303EPE
MAX303CSE+
601RJ3
60196-2
60197-1
60170151
60100641
6012A055101
601-990134-006
6010+00420-1OZP
N42180-R
N42180-01
1048955
MDE9528D-XJ-A2
74F166D
MC33797EKR2
BAV70T
FPX16/BAE0001
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