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IRF7831TRPBF

发布时间:2019/10/9 16:50:00 访问次数:36 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6240pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
SY58026UMG
sy58024umi tr
EIC0102
644560000
MAX6710BUT
MAX6710DUT+T
MAX6710IUT+T
MAX6714CUB-T
MAX6713MEXS-T
MAX6719UTTGD3
MAX6719UTTGD3+T
AD9148BBCZ-1-RL7
X8148X3874BCYE
PDM41256LA20S0
PDM41258LA35S0
PDM41256SA15S0I
IRF7831TRPBF
SM30T10AY
AT-SODM-144-1-TGF
X1E000021001900
RP838024-A
CY2410SC-5T
CY2412SXC-1T
CY241V08ASC-11
1N5399E354
MC-5121
PZ5032CS6A44
CBA-K01-S07PAR
SI4435DYT1REVA
GA-VF+ISDNFRV1.0 REVA
TTR010-277
U4291B-AFPG1
UPC2918TE1
BYV26C-TR
BYV26C-TAP
AC-001
AC-415-RS1
PEF42065HLV12SLL8X
MCD00001
MCDTSA6-2K
RF1404-000
1812-272K
1812-271J
1812-392K
1812-683J
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MAX731CWE


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