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BUZ32E3045

发布时间:2019/10/9 15:21:00 访问次数:34 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 75W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)


1SS400T1G
MPN-N2-0011
76342-620
76342-304
76342-328
76342-404LF
RA18-14
BCP69T/R
BCP69-25T/R
BCP69-16E6327
PCD3330-1P
QJ1119L-NVRM-7F
CX5331XS1R
TW0812GS320355
X9C103SZ
X9C103ST1
X9C103ST2
AML21GBA2CD
BUZ60
BUZ44
BUZ74
BUZ72
BUZ332
BUZ216
BUZ356
BUZ100SL
BUZ32E3045
RC2122DPL
RC210T20RF
RC210C4223FT
RC2012J333CS
RC2012F5110CS
RC2012F1000CS
RC2012F4991AS
RC28F128J3C-150
RC224ATLR6641-15
RC28F320J3D-75-PROG
BSS79C
046298003000883+
BFC225
BFC233828241
BFC233629142
BFC233862563
BFC246840824
BFC233990032
BFC233914474
BFC233820223
BFC368.6-18-1L
BFC237075474 (ROHS)

XC2S30-5VQ100C


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