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24AA256T-I/SN

发布时间:2019/10/9 15:19:00 访问次数:36 发布企业:深圳市川蓝电子科技有限公司



24AA256T-I/SN 是一款电可擦除可编程只读存储器 32kx8 - 1.8V,其产品规格如下:

制造商: Microchip
产品种类: 电可擦除可编程只读存储器
RoHS: 无铅环保
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
存储容量: 256 kbit
组织: 32 k x 8
接口类型: Serial, 2-Wire, I2C
访问时间: 900 ns
数据保留: 200 Year
最大时钟频率: 400 kHz
电源电流—最大值: 3 mA
电源电压-最小: 1.7 V
电源电压-最大: 5.5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: 24AA256
封装: Reel
高度: 1.25 mm
长度: 4.9 mm
宽度: 3.9 mm
商标: Microchip Technology
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 3 mA
工作电源电压: 1.7 V to 5.5 V
产品类型: EEPROM
编程电压: 1.7 V to 5.5 V
工厂包装数量: 3300
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 187 mg









随着CPU处理内核数量的增加,由于CPU和SoC器件无法在单颗芯片上扩展并行DDR接口的数量,以满足不断增长的内核数量

的需要,从而导致每个处理内核可用的平均存储器带宽有所下降。SMC 1000 8 x 25G通过符合8位开放式存储器接口(OMI)

的25 Gbps通道与CPU连接,通过72位DDR4 3200接口与存储器连接,从而大幅减少每个DDR4存储器通道所需的主机CPU或

SoC引脚数量,允许更多的存储器通道并增加可用的存储器带宽。


随着人工智能(AI)和机器学习工作负载所需的计算需求不断增加,由于需要更多的存储器通道来提供更多的存储器带宽,传统

的并行连接DRAM存储器已经成为下一代CPU的主要障碍。Microchip Technology Inc.)今日宣布进入存储器基础设施市场,

推出业内首款商用串行存储器控制器, 扩展其数据中心产品组合。SMC 1000 8 x 25G使CPU和其他以计算为中心的SoC能够

在相同封装尺寸内使用并行连接DDR4 DRAM的四倍存储器通道。Microchip的串行存储器控制器不仅能为计算密集型平台提供

更高的存储器带宽和介质独立性,同时还具备超低时延的特性。


数据中心应用程序工作负载需要基于OMI的DDIMM存储器产品,以提供与当今基于并行DDR的存储器产品相同的高性能带宽和

低时延效果。Microchip的SMC 1000 8 x 25G采用创新的低时延设计,与传统的基于LRDIMM的集成式DDR控制器相比,其时

延增量不到4 ns,这表明基于OMI的DDIMM产品的带宽和时延性能与类似的LRDIMM产品几乎相同。




支持OMI的CPU或SoC可以使用具有不同成本、功耗和性能指标的大量介质类型,而无需为每种类型集成单独的存储器控制器。

相比之下,目前的CPU和SoC存储器接口通常以特定的接口速率锁定在特定的DDR接口协议,例如DDR4。SMC 1000 8 x 25G

是Microchip产品系列中第一款支持介质独立的OMI接口的存储器基础设施产品。


数据中心应用程序工作负载需要基于OMI的DDIMM存储器产品,以提供与当今基于并行DDR的存储器产品相同的高性能带宽和

低时延效果。Microchip的SMC 1000 8 x 25G采用创新的低时延设计,与传统的基于LRDIMM的集成式DDR控制器相比,其时

延增量不到4 ns,这表明基于OMI的DDIMM产品的带宽和时延性能与类似的LRDIMM产品几乎相同。



24AA256T-I/SN MICROCHIP
24LC64I/SN MICROCHIp
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MCV08A MICROCHIP
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MCV08A-I/SN MICROCHIP
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HA2089-I/SL MICROCHIP
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24LC04B-I/SN MICROCHIP
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24LC512-I/P microchip
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24LC512-I/SM microchip
24LC512-I/SN MICROCHIP
24LC512-I/SN microchip
PIC16F74-I/P MICROCHIP


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