一般说明：S25FL512SAGMFI010
赛普拉斯S25FL512S器件是一种闪存非易失性存储器产品，其使用：
MirrorBit技术-在每个存储阵列晶体管中存储两个数据位
Eclipse体系结构-大大提高了编程和擦除性能
65纳米工艺光刻
该设备通过串行外围设备接口（SPI）连接到主机系统。传统SPI一位串行输入和输出（单支持I / O或SIO，以及可选的两位（双I / O或DIO）和四位（四位I / O或QIO）串行命令。这个倍数
宽度接口称为SPI Multi-I / O或MIO。此外，FL-S系列增加了对双倍数据速率（DDR）读取命令的支持适用于SIO，DIO和QIO，它们在时钟的两个边沿上传输地址并读取数据。
Eclipse体系结构具有页面编程缓冲区，该缓冲区允许在一个程序中最多编程256个字（512字节）。操作，比上一代SPI编程或擦除算法产生更快的有效编程和擦除。
直接从闪存执行代码通常称为就地执行或XIP。通过以更高的时钟速率使用FL-S设备通过QIO或DDR-QIO命令支持，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口，
异步，NOR闪存，同时大大减少了信号数量。
S25FL512SAGMFI010产品提供高密度，以及各种嵌入式产品所需的灵活性和快速性能。应用程序。它是代码影子，XIP和数据存储的理想选择。
特征：S25FL512SAGMFI010
具有通用I / O的CMOS 3.0 V内核
具有多I / O的串行外围设备接口（SPI）
密度
512 Mbits（64 MB）
SPI
❐SPI时钟极性和相位模式0和3
❐双倍数据速率（DDR）选项
❐扩展寻址：32位地址
❐串行命令集和封装兼容
S25FL-A，S25FL-K和S25FL-P SPI系列
❐多I / O命令集和封装与
S25FL-P SPI系列
读取命令
❐普通，快速，双路，四路，快速DDR，双路DDR，四路DDR
❐AutoBoot-开机或重置并执行Normal或Quad
在预选地址自动读取命令
❐公共闪存接口（CFI）数据以获取配置信息。
编程（1.5 MBps）
❐512字节页面编程缓冲区
❐用于慢时钟系统的四输入页面编程（QPP）
❐自动ECC-内部硬件错误纠正代码
单比特纠错生成
擦除（0.5至0.65 MBps）
❐统一的256 KB扇区
骑行耐力
❐至少100,000个程序擦除周期
数据保留
minimum至少20年的数据保留
安全功能
of 1024字节的OTP数组
❐块保护：S25FL512SAGMFI010
•状态寄存器位控制程序保护
或擦除连续范围的扇区。
•硬件和软件控制选项
❐高级行业保护（ASP）
•由引导代码或
密码
带有Eclipse™的Cypress®65 nmMirrorBit®技术
建筑
核心电源电压：2.7 V至3.6 V
I / O电源电压：1.65 V至3.6 V
16 SO16和FBGA封装
温度范围：S25FL512SAGMFI010
❐工业（–40°C至+85°C）
❐工业增强版（–40°C至+105°C）
❐汽车，AEC-Q100 3级（–40°C至+85°C）
❐汽车级AEC-Q100 2级（–40°C至+105°C）
❐汽车，AEC-Q100 1级（–40°C至+125°C）
封装（全部无铅）
❐16引脚SOIC（3亿）
❐24-BGA（6×8毫米）
•5×5球（FAB024）和4×6球（FAC024）占地面积
选项
❐已知良好的模具和已知的测试模具
制造商:S25FL512SAGMFI010
Cypress Semiconductor
产品种类:
NOR闪存
RoHS:
详细信息
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-16
系列:
S25FL512S
存储容量:
512 Mbit
最大时钟频率:
133 MHz
接口类型:
SPI
组织:
64 M x 8
定时类型:
Synchronous
数据总线宽度:
8 bit
电源电压-最小:
2.7 V
电源电压-最大:
3.6 V
电源电流—最大值:
35 mA
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 85 C
封装:
Tray
存储类型:
NOR
速度:
133 MHz
结构:
Eclipse
商标:
Cypress Semiconductor
湿度敏感性:
Yes
产品类型:
NOR Flash
工厂包装数量:
240
子类别:
Memory & Data Storage
商标名:
MirrorBit
单位重量:
200.700 mg
