1.1概述：2N7002BKW
小型SOT323（SC-70）中的N通道增强模式场效应晶体管（FET）
采用Trench MOSFET技术的表面贴装器件（SMD）塑料封装。
1.2特点和优点：2N7002BKW
„逻辑级别兼容
„快速切换
沟槽式MOSFET技术
高达2 kV的ESD保护
„符合AEC-Q101
1.3应用：2N7002BKW
„继电器驱动器
„高速线路驱动器
低侧负载开关
„开关电路
制造商:2N7002BKW
Nexperia
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-323-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
310 mA
Rds On-漏源导通电阻:
1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.1 V
Qg-栅极电荷:
0.5 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
330 mW (1/3 W)
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
资格:
AEC-Q101
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
产品:
MOSFET Small Signal
晶体管类型:
1 N-Channel Trench MOSFET
类型:
Enhancement
商标:
Nexperia
下降时间:
7 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
6 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
12 ns
典型接通延迟时间:
5 ns
单位重量:
5 mg
