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DMP4013LFGQ-7

发布时间:2019/10/8 11:44:00 访问次数:50发布企业:深圳市科恒伟业电子有限公司

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 汽车级,AEC-Q101


规格 FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 68.6nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3426pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerDI3333-8
封装/外壳 8-PowerVDFN

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