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F3L100R07W2E3

发布时间:2019/10/7 12:42:00 访问次数:35发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

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F3L100R07W2E3

F3L100R07W2E3中文资料
功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极

—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
F3L100R07W2E3_B11
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F3L100R07W2E3_B11
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别名: F3L100R07W2E3

F3L100R07W2E3中文资料
功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极

—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
F3L100R07W2E3_B11
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别名: F3L100R07W2E3

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