AO4616

描述：AO4616
30V互补MOSFET
AO4616使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个互补N和P沟道MOSFET配置是低输入电压逆变器应用的理想选择。

产品概要：AO4616
N通道P通道
VDS = 30V -30V
ID = 8A（VGS = 10V）-7A（VGS = -10V）
RDS（开启）RDS（开启）
<20mΩ（VGS = 10V）<22mΩ（VGS = -10V）
<28mΩ（VGS = 4.5V）<40mΩ（VGS = -4.5V）
100％经过UIS测试100％经过UIS测试
100％通过Rg
已测试100％Rg
经过测试
ESD保护

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4616
描述MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述N-和-P-沟道-Mosfet-阵列-30V-8A-7A-2W-表面贴装型-8-SOIC

一般信息：AO4616

数据列表AO4616 Datasheet;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列-

规格：AO4616

FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A，7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）888pF @ 15V
功率 - 最大值2W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SOIC