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AD7172-2BRUZ

发布时间:2019/9/5 11:15:00 访问次数:173发布企业:上海德懿电子科技有限公司


AD7172-2BRUZ

AD7172-2BRUZ

模数转换器 - ADC 24 Bit SD-ADC 31k sps 2Diff/4 SE Input

制造商:Analog Devices Inc
描述:IC ADC 24BIT SPI/SRL TSSOP
系列:-
位数:24
采样率(每秒):31.25k
输入数:2,4
输入类型:差分,单端
数据接口:SPI, DSP
配置:MUX-ADC
无线电 - S/H:ADC:0:1
A/D 转换器数:1
架构:三角积分
参考类型:外部, 内部
电压 - 电源,模拟:3 V ~ 5.5 V
电压 - 电源,数字:2 V ~ 5.5 V
特性:-
工作温度:-40°C ~ 125°C
封装/外壳:*
供应商器件封装:*

我们本着"品质为先、诚信经营"的宗旨,保证所供产品均为原装正品,现已成为各中小 企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、大专院校、部队各兵种所属的企业等,指 定的合格供货商,并获得了良好的信赖及好评。我公司正积极拓展货源和营销渠道,并在北 京及深圳等地开设了分支机构,集业内最优秀的人才,为广大客户提供一站式采购及免费技 术支持服务,以不断的完善提高优质服务而努力。同时也希望能与客户、业界同行进行广泛 的交流、学习、互利合作,共同发展进步。
企业使命:取天下之信,成忠信之业,勇做中国 IC 电子行业的先行者。 企业价值观:持续为社会、为客户创造更大的价值。 企业精神:诚信、创新、激情、责任、艰苦创业、团队合作。

折叠世界集成电路发展历史

1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;
1950年:结型晶体管诞生

1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺

1951年:场效应晶体管发明

1956年:C S Fuller发明了扩散工艺

1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;

1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺

1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管

1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺

1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍

1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门)

1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司

1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现

1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明

1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802

1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世

1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临

1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC

1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世

1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM

1985年:80386微处理器问世,20MHz

1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段

1989年:1Mb DRAM进入市场

1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺

1992年:64M位随机存储器问世

1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺

1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;
1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺

1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺

2000年:1Gb RAM投放市场

2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺

2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。

2003年:奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺。

2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺。

2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。

2009年:intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。


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