TK20A60U

发布时间:2019/9/4 10:57:00 访问次数:452 发布企业:深圳市力索微电子有限公司

供应TK20A60U/TK20A60U(STA4,X,M/TK20A60U(STA4,Q,M)TO220F封装,TOSHIBA东芝原厂渠道，原装正品，大量现货，可开13%增值税票!!!

规功率MOSFET的抗短路能力无法与工作于高电流密度下的IGBT或者其他器件相提并论。这样，

我们通常不认为MOSFET和FREDFET具有抗短路的能力。数据表浏览通常使用先进探针技术(advancedprobetechnology，ATP)

获得的测试数据来选择合适的器件并预测器件的性能。通过测试曲线，可以从一组工作状态外推到另一组工作状态。值得注意的是：

测试曲线代表的是典型性能，而非或者***小的***情况。测试得到的性能有时也或多或少的依赖于测试电路；采用不同的测试电路，

得到的结果会有些许差别。额定值VDSS?C漏-源电压在栅源短接，工作温度为25℃时，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未

发生雪崩击穿前所能施加的电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静

电学特性。PD-总功耗总功耗标定了器件可以消散的功耗，可以表示为结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。

TPN1600ANHN沟道10036421230190.0168个YTSON进展

TPN2010FNHPspice的N沟道2509.9394607.00.1988个YTSON进展

TPN22006NHN沟道602118127100.0228个YTSON进展

TPN2R203NCN沟道30100423422300.00360.00228个YTSON进展

TPN2R503NCN沟道3085354022300.00250.00418个YTSON进展

TPN2R703NLPspice的N沟道30904216009.50.00410.00278个YTSON进展

TPN30008NHPspice的N沟道802227117100.038个YTSON进展

TPN3300ANHN沟道1002127680110.0338个YTSON进展

TPN4R203NCN沟道3053222413700.00640.00428个YTSON进展

TPN4R303NLPspice的N沟道30633411106.80.00630.00438个YTSON进展

TPN4R712MDPspice的新产品P沟道-20-36430042650.00810.00478个YTSON进展

TPN5900CNHPspice的N沟道15018394607.00.0598个YTSON进展

TPN6R003NLN沟道30563210508.20.00830.0068个YTSON进展

TPN6R303NCN沟道3043192413700.00630.00848个YTSON进展

TPN7R506NHN沟道6053422214100.00758个YTSON进展

TPN8R903NLN沟道3037226304.40.01270.00898个YTSON进展

TPW4R008NHN沟道801161424100590.0048个YDSOP进展

TPW4R50ANHN沟道100921424000580.00458个YDSOP进展

TPWR8004PLN沟道4015017073701030.001350.000808个YDSOP进展

TPWR8503NLPspice的N沟道301501425300320.0013

式4线性降低因子与RθJC的倒数成正比。TJ,TSTG-工作温度和存储环境温度的范围这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件***短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。EAS-单脉冲雪崩击穿能量如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

系列东芝TOS场效应管TK5A60W、TK6A60W、TK7A60W、TK8A60W、TK10A60W、TK12A60W、TK16A60W、2SK3564、
2SK3565、2SK3742、2SK3798、2SK3799、2SK4013、2SK4014、TK10A50D、TK10A55D、TK10A60D、TK11A50D、TK11A55D、
TK11A60D、TK11A65D、TK12A50D、TK12A53D、TK12A55D、TK12A60D、TK12A60U、TK12A65D、TK13A50D、TK13A55DA、
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TK8A55DA、TK8A60DA、TK8A65D、TK9A55DA、TK9A60D

场效应管三个区域的特点,在一般情况下,场效应管都作为放大器件使用,所以必须保证场效应管可靠地工作在饱和区,以达到用uGS控制

iD的效果。1.2?可变电阻区与饱和区的分界由图1可知,场效应管的可变电阻区与饱和区之间是连续变化的过程,中间没有断点。为了

划分它们之间的界线,在实际运用中,引入?预夹断[2]的概念,就是从预夹断点以后到全夹断的过程就是饱和区。也就是说?预夹断点

就是可变电阻区与饱和区的分界点。TK6A60D,TK6A65D,TK8A60D,TK10A65D,TK13A65D,TK2A60D,TK2P60D

根据场效应管的工作原理,当管子进入预夹断状态时uGS、uDS、VP之间有如下关系uDS=uGS-VP知道uDS和uGS,由此式即可确

定预夹断点电压。2?测试方法2.1?测试原理描述图2是一个测量场效应管夹断电压的原理图。根据场效应管转移特性曲线

iD=f(uGS)|uGS=常数先将漏源之间的电压uDS固定为某一个数值,然后改变栅极电压uGS,记下与之相对应的iD数值。

当改变uGS,使iD接近零时,此时的uGS电压就是夹断电压VP。对于N沟道器件,VP是负值;对P沟道器件,VP是正值。

如果把uGS与iD的对应关系在坐标纸上描绘出来,就是场效管的特性曲线。下面是一个具体的测试实例。2.2?使用的

仪器和器材DZX?2型电子综合实验台、UT2003型数字万用表、3DJ6H场效应管。2.3?实验步骤及数据纪录先设定u

DS=10V;夹断电压VP为iD<50<>?A时的uGS。取点,列表,并将测试数据填入表1中。测试点取值要合理,既不能过多,也

不能过少,点与点的间隔要均匀,否则将无法准确反映管子的内在特征。特别是在临近预夹断时,iD微小,要仔细观察iD随uGS

的变化情况。东芝MOS管现货：2SK3078A,2SK3078,2SK3756,2SK2962,2SK3565，2SK3878,TK2P60,TK4A60D,TK6A60D,T