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SM12T1G

发布时间:2019/8/17 14:45:00 访问次数:297 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





描述:SM12T1G

ESD保护二极管阵列
双共阳极
这些双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用。他们适用于电压和ESD敏感设备,如电脑,打印机,商用机器,通讯系统,医疗设备和其他应用。他们的双结常见阳极设计仅使用一个封装保护两条独立的线路。这些这些器件非常适用于电路板空间非常宝贵的情况。


规格特征:SM12T1G
•SOT-23封装允许两个单独的单向
配置或单个双向配置
•工作峰值反向电压范围 - 12 V
•标准齐纳击穿电压范围 - 13.3 V至15.75 V.
•峰值功率 - 300瓦(8 X 20 s)
•低泄漏
•可燃性等级UL 94 V-0


机械特性:SM12T1G
表壳:无空隙,传递模塑,热固性塑料外壳
表面处理:耐腐蚀表面,易于焊接
用于焊接目的的最高表面温度:
260°C,持续10秒
专为优化自动化板组装而设计的包装
适用于高密度应用的小封装尺寸
提供8毫米卷带和卷盘
使用设备编号订购7英寸/ 3,000单位卷轴。
将“T1”替换为设备编号中的“T3”以订购
13英寸/ 10,000单位卷轴。


制造商:SM12T1G
ON Semiconductor
产品种类:
ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS:
详细信息
系列:
SMxxT1
产品类型:
ESD Suppressors
Vesd - 静电放电电压触点:
8 kV
Vesd - 静电放电电压气隙:
15 kV
极性:
Unidirectional
通道数量:
2 Channel
端接类型:
SMD/SMT
击穿电压:
13.3 V
工作电压:
12 V
钳位电压:
19 V
Ipp - 峰值脉冲电流:
1 A
Cd - 二极管电容 :
95 pF
封装 / 箱体:
SOT-23-3
峰值脉冲功耗 (Pppm):
300 W
Pd-功率耗散:
300 mW
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
商标:
ON Semiconductor
工厂包装数量:
3000
子类别:
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

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