描述：PBSS5350X
采用SOT89塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。
NPN补充：PBSS4350X。
特征：PBSS5350X
•SOT89（SC-62）封装
•低集电极 - 发射极饱和电压VCEsat
•高集电极电流能力：IC和ICM
•效率更高，产生的热量更少
•降低印刷电路板要求。
应用：PBSS5350X
• 能源管理
- DC / DC转换器
- 电源线切换
- 充电器
- LCD背光。
•外围驱动程序
- 低电源电压应用中的驱动器（例如灯
和LED）。
- 感性负载驱动器（例如继电器，
蜂鸣器和马达）。
制造商:PBSS5350X
Nexperia
产品种类:
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
详细信息
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-89-3
晶体管极性:
PNP
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
50 V
集电极—基极电压 VCBO:
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
5 V
最大直流电集电极电流:
3 A
Pd-功率耗散:
1600 mW
增益带宽产品fT:
100 MHz
最小工作温度:
- 65 C
最大工作温度:
+ 150 C
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
直流电流增益 hFE 最大值:
200 at 100 mA, 2 V
高度:
1.6 mm
长度:
4.6 mm
技术:
Si
宽度:
2.6 mm
商标:
Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min:
200 at 100 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 130 at 2 A, 2 V, 80 at 3 A, 2 V
产品类型:
BJTs - Bipolar Transistors
资格:
AEC-Q101
工厂包装数量:
1000
子类别:
Transistors
零件号别名:
PBSS5350X T/R
单位重量:
1 g
