,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.批发零售量大价优，电子元器件一站式配单配套服务，现货供应，照片是我们的产品实拍，因产品过多原因我们未对一一产品进行参数描述，如需了解更多产品信息和价格欢迎咨询和购买请联系我们的工作人员电话：零七五五---八二七三二二九一/零七五五---八五二七四六六二，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六.
TX2-5V
制造商:Panasonic
产品种类:低信号继电器-PCB
RoHS:详细信息
产品:LowProfileRelays
线圈电压:5VDC
继电器触点形式:2FormC(DPDT-NO,NC)
触点额定值:2Aat30VDC
触点电流额定值:2A
最大开关电流:2A
线圈电流:28.1mA
线圈类型:Non-Latching
功耗:140mW
触点端接:SolderPin
绝缘:20dB
介入损耗:0.8dB
封装:Tube
触点形式:DPDT(2FormC)
商标:PanasonicIndustrialDevices
线圈电阻:178Ohms
触点材料:Silver(Ag)
安装风格:ThroughHole
-------
LMR14203XMK
制造商:TexasInstruments
产品种类:开关稳压器
RoHS:详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-Thin-6
输出电压:765mVto34V
输出电流:300mA
最大输入电压:42V
拓扑结构:Buck
最小输入电压:4.5V
开关频率:1.25MHz
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+125C
系列:LMR14203
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
工作温度范围:-40Cto+125C
类型:StepDown
商标:TexasInstruments
开发套件:LMR14203XMKDEMO/NOPB
工作电源电流:1.3mA
产品类型:SwitchingVoltageRegulators
工厂包装数量:1000
---
1SMB16CAT3G
产品种类:ESD抑制器/TVS二极管
RoHS:详细信息
系列:SZ1SMBxxCAT3G
产品类型:TVSDiodes
Vesd-静电放电电压触点:-
Vesd-静电放电电压气隙:-
极性:Bidirectional
端接类型:SMD/SMT
击穿电压:19.7V
钳位电压:26V
Ipp-峰值脉冲电流:23.1A
Cd-二极管电容:520pF
封装/箱体:DO-214AA-2(SMB)
峰值脉冲功耗(Pppm):600W
Pd-功率耗散:3W
最小工作温度:-65C
最大工作温度:+150C
资格:AEC-Q101
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
工厂包装数量:2500
---
LMR14203XMKX/NOPB
制造商:TexasInstruments
产品种类:开关稳压器
RoHS:详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-Thin-6
输出电压:765mVto34V
输出电流:300mA
最大输入电压:42V
拓扑结构:Buck
最小输入电压:4.5V
开关频率:1.25MHz
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+125C
系列:LMR14203
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
工作温度范围:-40Cto+125C
类型:StepDown
商标:TexasInstruments
开发套件:LMR14203XMKDEMO/NOPB
工作电源电流:1.3mA
产品类型:SwitchingVoltageRegulators
工厂包装数量:1000
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BSP752R
制造商:Infineon
产品种类:电源开关IC-配电
RoHS:详细信息
类型:HighSide
输出端数量:1Output
输出电流:1.3A
电流限制:6.5A
导通电阻—最大值:200mOhms
工作电源电压:6Vto52V
电源电压-最小:6V
电源电压-最大:52V
Pd-功率耗散:1.5W
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
运行时间—最大值:180us
空闲时间—最大值:200us
系列:ClassicPROFET
资格:AEC-Q100
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
产品:PowerSwitches
商标:InfineonTechnologies
湿度敏感性:Yes
产品类型:PowerSwitchICs-PowerDistribution
工厂包装数量:2500
子类别:SwitchICs
商标名:PROFET
BSP752RXUMA2
BSP752RXT
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BAS16HT1G
产品种类:二极管-通用，功率，开关
RoHS:详细信息
产品:SwitchingDiodes
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOD-323
峰值反向电压:75V
If-正向电流:200mA
配置:Single
恢复时间:6ns
Vf-正向电压:1.25V
Ir-反向电流:1uA
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
系列:BAS16H
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:0.9mm
长度:1.7mm
类型:SwitchingDiode
宽度:1.25mm
商标:ONSemiconductor
产品类型:Diodes-GeneralPurpose,Power,Switching
工厂包装数量:3000
----
TUSB8041IPAPRQ1
制造商:TexasInstruments
产品种类:USB接口集成电路
RoHS:详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:HTQFP-64
系列:TUSB8041-Q1
产品:USBHubs
类型:HubController
标准:USB3.0
速度:SuperSpeed
数据速率:5Gb/s
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+85C
资格:AEC-Q100
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
商标:TexasInstruments
接口类型:GPIO,I2C,SMBus,USB
端口数量:4Port
开发套件:TUSB8041EVM
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:1.1V,3.3V
产品类型:USBInterfaceIC
工厂包装数量:1000
LAN83C185-JT
制造商:Microchip
产品种类:以太网IC
RoHS:详细信息
产品:PhysicalLayerTransceivers
收发器数量:1Transceiver
封装:Tray
商标:MicrochipTechnology
湿度敏感性:Yes
产品类型:EthernetICs
工厂包装数量:160
子类别:Communication&NetworkingICs
单位重量:6.667g
--
Si3226，Si3226-E-FQ
制造商:SiliconLaboratories
产品种类:电信接口IC
产品:SubscriberLineInterfaceCircuits-SLICs
系列:Si3226
商标:SiliconLabs
产品类型:TelecomInterfaceICs
子类别:InterfaceICs
----
IRMCK343TR
制造商:Infineon
产品种类:马达/运动/点火控制器和驱动器
RoHS:详细信息
类型:SensorlessMotorDriver
工作电源电压:1.8V,3.3V,1.8V,3.3V
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+85C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:QFP-64
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.45mm(Max)
长度:10mm
工作温度范围:-40Cto+85C
宽度:10mm
商标:InfineonTechnologies
湿度敏感性:Yes
产品类型:Motor/Motion/IgnitionControllers&Drivers
---
PEB3265HV1.5
制造商:Infineon
产品种类:电信接口IC
RoHS:详细信息
产品:SLIC-SubscriberLineInterfaceCircuits
封装:Tray
商标:InfineonTechnologies
产品类型:TelecomInterfaceICs
工厂包装数量:504
子类别:InterfaceICs
-----
STM32F105RBT6
制造商:STMicroelectronics
产品种类:ARM微控制器-MCU
RoHS:详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:LQFP-64
系列:STM32F105RB
核心:ARMCortexM3
数据总线宽度:32bit
最大时钟频率:72MHz
程序存储器大小:128kB
数据RAM大小:64kB
ADC分辨率:12bit
输入/输出端数量:51I/O
工作电源电压:2Vto3.6V
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+85C
封装:Tray
高度:1.4mm
长度:10mm
程序存储器类型:Flash
宽度:10mm
商标:STMicroelectronics
数据Ram类型:SRAM
接口类型:CAN,I2C,SPI,USART
湿度敏感性:Yes
ADC通道数量:16
计时器/计数器数量:10Timer
处理器系列:ARMCortexM
产品类型:ARMMicrocontrollers-MCU
工厂包装数量:960
子类别:Microcontrollers-MCU
电源电压-最大:3.6V
电源电压-最小:2V
商标名:STM32
单位重量:342.700mg
----
AD1939YSTZ
制造商:AnalogDevicesInc.
产品种类:接口—CODEC
RoHS:详细信息
类型:AudioCODEC,MultiChannel
分辨率:24bit
转换速率:192kHz
接口类型:Serial
ADC数量:4ADC
DAC数量:8DAC
工作电源电压:3.3Vto5V
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+125C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:LQFP-64
封装:Tray
高度:1.4mm
长度:10mm
产品:AudioCODECs
系列:AD1939
宽度:10mm
商标:AnalogDevices
THD+噪声:-94dB
开发套件:EVAL-AD1939AZ
湿度敏感性:Yes
产品类型:CODECs
SNR–信噪比:107dBADC/112dBDAC
工厂包装数量:160
子类别:InterfaceICs
电源电压-最大:5V
电源电压-最小:3.3V
单位重量:342.700mg
---
ADS131E08IPAGR
制造商:TexasInstruments
产品种类:模拟前端–AFE
RoHS:详细信息
系列:ADS131E08
分辨率:24bit
采样比:64kS/s
通道数量:8Channel
接口类型:Serial,SPI
电源电压-最大:5.25V
电源电压-最小:2.7V
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+105C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TQFP-64
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
特点:Daisy-Chainable,GPIO,Oscillator,PGA
功耗:6mW
结构:Sigma-Delta
商标:TexasInstruments
模拟电源电压:2.7Vto5.25V
开发套件:ADS131E08EVM-PDK
数字电源电压:1.8Vto3.6V
INL-积分非线性:0.002%
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:2.7Vto5.25V
Pd-功率耗散:17.6mW
产品类型:AnalogFrontEnd-AFE
SNR–信噪比:107dB
工厂包装数量:1500
子类别:DataConverterICs
单位重量:360.600mg
----
STM7E1AR
产品属性属性值
制造商:STMicroelectronics
产品种类:开关IC-各种
RoHS:详细信息
工作电源电压:3.3V
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+85C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TQFP-64
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
带宽:50kHzto12000kHz
高度:1.4mm
长度:10mm
系列:STM7E1AR
宽度:10mm
商标:STMicroelectronics
湿度敏感性:Yes
产品类型:SwitchICs-Various
工厂包装数量:1000
子类别:SwitchICs
电源电压-最大:3.465V
电源电压-最小:3.135V
单位重量:360.600mg
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HT48R06A-1(18SOP)
HT48R06A-1(18SKDIP)
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TAJC476K016RNJ
LDA20-24S5
EX039D12.800MHzDIP-8
LDA10-24S5W
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LDA16-48S3V3W
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LDAP30-24S5LDAP
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LDFE100-48S12W
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HT48R06A-1(18SKDIP)
TYPE-C/VGA
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TDF8546J
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QN8027
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MURS340T3G
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LM75ADP
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LM75AD
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M7
MS8-bitMicrocontrollers
型号封装堆
栈
指
令
周
期
引脚存储器
电
压
范
围
运行速度模拟检测、测量数字
IIC备注
总
数
I/O
ROM(Flash)
RA
M
EEPROM
内
部
低
速
振
荡
器
外
部
振
荡
器
内
部
振
荡
器
10位
ADC内
部
固
定
参
考
电
压
比
较
器
运
放
12位PW
M
8位
定
时
器
16位
定
时
器
看
门
狗
CCP（EPW
M）
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4T
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MS81F1402SOP148
2T/
4T
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4T
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MS82F0802ASOP88
2T/
4T
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引脚存储器
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范
围
运行速度模拟检测、测量数字
IIC备注
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部
低
速
振
荡
器
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部
振
荡
器
内
部
振
荡
器
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ADC内
部
固
定
参
考
电
压
比
较
器
运
放
12位PW
M
8位
定
时
器
16位
定
时
器
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门
狗
CCP（EPW
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MS82F0802BSOP88
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4T
20184k2562562.0-5.5V32K√16M6+1√2√42+41√1/
型号封装堆栈指令周期引脚存储器电压范围运行速度模拟检测、测量数字IIC备注总数I/OROM(Flash)RAMEEPROM内部低速振荡器外部振荡器内部振荡器10位ADC内部固定参考电压比较器运放12位PWM8位定时器16位定时器看门狗CCP（EPWM）MS84F2004BSOP2082T/4T20184k2562562.0-5.5V32K√16M7+1√2√42+41√1/1、全系列Flash+EEPROM2、采用PIC-C编译器:PICC9.833、待机电流最低至0.35μA@3.3VMS85F1602SOP1682T/4T16142k1282562.0-5.5V32K√16M/////21√/1MS85F2802SOP2882T/4T28262k1282562.0-5.5V32K√16M/////21√
材料工程助力下一代存储器量产进程
导读：应用材料公司是全球最大的半导体设备公司，一直推动基于材料工程技术的创新与产业变革。材料工程学是半导体技术的基础之一，新型材料的科学运用往往决定着半导体技术的进步。应用材料公司正是积极投入这一领域开发的公司之一。
应用材料中国公司首席技术官赵甘鸣表示，随着摩尔定律的放缓，半导体产业正面临全新的技术变革，需要最底层的材料工程技术的发展，提供强有力的支撑。为此，过去10年中应用材料公司每年平均用于研发的投入都超过10亿美元，2018财年的研发投入更达到了20亿美元，就是希望推动半导体技术的革新。
根据赵甘鸣的介绍，应用材料公司目前重点关注5大项目，包括新芯片架构的开发，如Google的TPU；新3D技术，如3DNAND存储器中的新3D架构；新材料的运用，如在高端逻辑芯片中对钴的应用；新微缩技术的开发，如自我对准多重图形的新微缩技术，使芯片制程中减少对光刻的依赖；先进封装技术，如对系统级封装（SiP）技术的支持等。而下一代存储器量产技术正是应用材料公司关注的重点之一。
对此，应用材料公司金属沉积产品事业部全球产品经理周春明表示，新型存储器具有更快的存取速度，更好的耐用性，更小的裸片尺寸、成本和功耗等性能优势。例如，以统合式MRAM解决方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省90%的功耗；采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，可以实现更高的存储密度和更小的芯片尺寸。而将PCRAM或者ReRAM用于数据中心存储系统当中，相较于传统的NAND，可以提供超过10倍的存取速度，有望成为未来云服务数据中心的首选。因此，发展下一代存储器受到业界的普遍重视。不过，周春明也指出，目前下一代存储器在量产制程方面仍然存在很多瓶颈，这些新型存储器的量产工艺具有独特的挑战，只有在设备技术上有所突破才有望实现它们的规模化量产。.
CloverPVD为复杂的MRAM沉积而设计
MRAM是一种非易失性存储介质，具有更快的存取速度和高度耐用性，因此在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM的潜质。不过，目前MRAM量产制造方面的挑战很多，比如MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠结构，且由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜堆叠而成。部分薄膜层的厚度仅有几埃，接近一颗原子的程度。而要想控制这种厚度的薄膜层，实现均匀沉积，并保证介面层的品质，其中的挑战可以想见。
应用材料公司新推出的EnduraCloverMRAMPVD系统是业界首款具备量产价值的MRAM平台，包括可进行材料沉积、介面清洁和热处理等。根据周春明的介绍，其核心部分是CloverPVD腔室，可在原子层级精度下沉积多达五种材料。而整个系统可以整合7个CloverPVD腔室，因此，在一个PVD系统当中就可以完成10多种不同材料和超过30层以上的沉积。由于不需要像以往设备那样进行真空中断，将大幅提升成品率。
遂道结氧化镁是影响产品效能的关键，CloverPVD可以对氧化镁实现更优质的沉积效果，是目前市场上唯一可以通过陶瓷溅射来沉积氧化镁的解决方案。另一种替代技术需要两个步骤，先沉积镁，然后再氧化，最终形成氧化镁。CloverPVD氧化镁沉积技术可以提高MRAM的低功耗、高耐久性能。
另外，EnduraClover机载的计量技术可以实现即时流程监控，也有助于提高成品率，除低制造成本。
ImpulsePVD可实现卓越的成分控制
ReRAM和PCRAM同样属于非易失性存储器，适合作为“存储级存储器”填补服务器DRAM和NAND闪存之间不断扩大的性价比差距。ReRAM和PCRAM在制造过程中，同样具有诸多挑战，比如需要用到非常独特的材料进行制备。以相变单元材料为例，产业界花了数十年的时间才发现具有适当成分的锗锑碲复合物薄膜材料。挑战在于如何沉积这些复合材料，如何控制其组分，如何控制形成多层结构的界面。这些因素都会对PCRAM、ReRAM最终产品性能造成影响。
应用材料针公司对PCRAM和ReRAM量产化开发的Endura?Impulse?PVD系统，可精准地在真空环境下实现各种薄膜堆叠沉积，为复合薄膜提供了紧密的成分控制。ImpulsePVD腔室通过优化也提供了绝佳的薄膜厚度、均匀度和介面控制，這些都是实现器件高性能高产量的关键。
Endura平台装备的机载计量技术可以解决存储器制造中的测量与控制问题。下一代存储器薄膜中有许多是对空气敏感的，传统的测量设备会暴露于外界空气环境中，无法对产品进行可靠地测量。Endura平台装备的机载计量技术适用于各种应用，实现精确的厚度控制。机载计量是一种光学测量工具，可提供真空、芯片机载计量、亚埃级秒内敏感度，逐层监控产品异常检测和产量改进，以确保复杂的技术过程处于监控之中。
在原子层级做规模工业的适用技术
量产化始终是MRAM、PCRAM、ReRAM等下一代存储器的障碍。以往这些产品基本只能进行小规模生产，成品率不高，甚至是只能实验室制备，过高的成本阻碍其商用化进程。而应用材料公司新推出的两款沉积设备都希望推进MRAM、PCRAM、ReRAM的规模量产。
“针对MRAM的CloverPVD系统，针对PCRAM和ReRAM的ImpulsePVD系统，再加上机载计量技术，都可协助下一代存储器的大规模量产成为可能。”周春明表示，“首先是实现产品的性能保证，同时在扩大生产效率的基础上，提高生产的良率。这是在原子层级做大规模的工业化适用技术。”
那么，MRAM、PCRAM、ReRAM等下一代存储器什么时间，有望进入商用化时代呢。周春明预测未来3-5年中，下一代存储器在解决了制造瓶颈后将快速进入市场。除沉积技术之外，下一代存储器在制造方面还存在着许多上需要克服的环节。比如沉积之后就需要进行刻蚀，刻蚀工艺也存在许多需要改善的环节。
赵甘鸣则表示，应用材料公司还有多条设备产品线，除沉积以外，其他方面也在持续推进当中。相信未来会有更多产品亮相，下一代存储器也将进入规模量产时代。
