随着去年Q4季度DRAM芯片价格开始下跌，DDR4内存的价格已经有了松动，很多人还期待着8GB内存降回200多元的价格呢。现在的DDR4内存已经有了继任者——DDR5，标准及芯片生产都完成了，不过尚无平台支持，最快今年底才会有DDR5内存上市，更多地还是2020年上市。DDR5内存的频率能达到6400Mbps，带宽比现有水平翻倍，但SK Hynix日前透露说已经开始预研DDR6内存，频率还会进一步翻倍，预计可达12Gbps，带宽再次翻倍。
DDR5内存明年才能上市，SK Hynix已预研DDR6：12Gbps
DDR5是新一代内存标准，相关规范去年已经公布了，三星、美光之前也宣布了旗下的16Gb DDR5内存了，三星去年甚至宣布了移动版的LPDDR5-6400内存了。SK Hynix去年宣布了16Gb DDR5号称是首个完全满足JEDEC标准的DDR5内存芯片，使用的也是1Ynm工艺，频率达到了DDR5-5200，带宽比DDR4-3200内存高了大约60%，是目前已宣布的DDR5内存中频率最高的，距离标准上限DDR5-6400MHz也没多远了。
至于DDR5的量产时间，SK Hynix明确表示他们会在2020年量产DDR5内存，也就是至少还有一年多时间。在SK Hynix之前，美光也宣布过DDR5内存量产计划，他们预计会在2019年底开始量产DDR5内存。总之，不论哪家内存芯片公司，量产DDR5内存的时间都不会很早，2020年才是起步时间。
但在技术研发方面，DDR5内存的工作是已经完成了，下一步就是DDR6内存了，韩国先驱导报援引SK Hynix公司内存研发人员Kim Dong-kyun的消息称，他们已经开始预研DDR6内存了，预计需要5-6年时间才能完成。
目前业界还没有统一的DDR6规范，SK Hynix方面提出了DDR6内存的两个方向，一个是继续目前不断提升频率/带宽的技术路线，另一个则是跟系统技术结合起来，比如跟CPU结合，目前都没有定论呢。
继续提高频率的话，DDR6内存的频率将达到12Gbps，比目前的DDR5内存标准上限DDR5-6400再翻一倍，带宽也会翻倍，意味着单条内存带宽能达到100GB/s。
不过现在说的这些依然只是DDR6内存技术的潜在选择，5年后内存市场变化会很大，DDR6标准依然是起步阶段，提升频率只是其中一个方向，未来3D堆栈的内存技术必然会对DDR内存发起挑战。
MT29F16G08ABABAWP-IT:B
MT29F16G08ABACAWP:C
MT29F16G08ABACAWP-IT:C
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
MT29F16G08ABACAWP-Z:C
MT29F16G08CBACAWP:C
MT29F16G08CBACAWP-IT:C
MT29F1G08ABADAWP:D
MT29F1G08ABADAWP-IT:D
MT29F1G08ABAEAWP:E
MT29F256G08CJAAAWP:A
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A
MT29F256G08CJAABWP-12:A
MT29F2G08AADWP-ET:D
MT29F2G08ABAEAWP:E
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A
MT29F32G08AFABAWP:B
MT29F32G08AFABAWP-IT:B
MT29F32G08AFACAWP:C
MT29F32G08CBAAAWC:A
MT29F32G08CBABAWP:B
MT29F32G08CBABAWP-IT:B
MT29F32G08CBACAWP:C
MT29F32G08CBACAWP-ITZ:C
MT29F32G08CBACAWP-Z:C
MT29F32G08CBADAWP:D
MT29F4G08ABADAWP:D
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
MT29F4G08ABAEAWP:E
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
MT29F64G08AFAAAWP
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A
MT29F64G08AFAAAWP-Z:A
MT29F64G08AJABAWP:B
MT29F64G08AJABAWP-IT:B
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A
MT29F64G08CBABAWP:B
MT29F64G08CBABAWP-IT:B
MT29F64G08CBABAWP-M:B
MT29F8G08ABABAWP:B
MT29F8G08ABABAWP-IT:B
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B
MT29F8G08ABACAWP:C
MT29F8G08ABACAWP-IT:C
MT41K256M16HA-125 AAT:E
NAND01GW3B2CN6E
NAND08GW3B2CN6E
NAND128W3A2BN6E
NAND512W3A2SN6E
S34ML01G100BHI000
S34ML01G100TFI000
S34ML01G100TFI000
S34ML01G200BHI000
S34ML01G200TFI000
S34ML01G200TFI000
S34ML02G100TFI000
S34ML02G100TFI000
S34ML02G200TFI000
S34ML02G200TFI000
S34ML04G100TFI000
S34ML04G100TFI000
S34ML04G200TFI000
TC58DVM92A1FT00
TC58NVG0S3ETA00
TC58NVG0S3ETAI0
TC58NVG0S3HTA00
TC58NVG0S3HTAI0
TC58NVG1S3ETA00
TC58NVG2S3ETA00
TC58NVG2S3ETAI0
TC58NVG4D2FTA00
TC58NVG5D2FTA00
TC58NVG5D2HTA00
TC58TEG5DCJTA00
TC58TEG6DCJTA00
TC58TEG6DDKTA00
W9751G6KB-25I
H57V1262GTR-60C
H57V1262GTR-75C
H57V2562GTR-60C
H57V2562GTR-75C
HY57V281620ELTP-6
HY57V281620ETP-6
HY57V281620ETP-H
HY57V561620FTP-H
K4S281632I-UC60
K4S281632I-UC75
K4S281632K-UC60
K4S281632K-UC75
K4S561632E-UC75
K4S561632H-UC75
K4S561632J-UC75
K4S561632N-LC75
K4S641632H-TC75
K4S641632H-UC75
K4S641632K-UC75
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