由于日本本月初开始管制对韩国出口的氟聚酰亚胺、光刻胶及氟化氢三种材料，连跌了3个季度的内存价格走势开始扑朔迷离，因为这三种材料中有两种都会影响到半导体芯片生产，韩国三星、SK海力士等公司都要依赖日本供应。
根据集邦科技旗下的半导体研究中心DRAMeXchange的数据，8Gb DDR4颗粒的现货价格上周末收盘时为3.74美元，比上上周的价格涨了14%，比7月5日的价格涨了23%——4号是日本正式管制出口的日子，5号内存价格就开始应声而涨了。
在这样的情况下，如何确保公司的内存、闪存芯片生产已经成为三星的头等大事。
日前有传闻称三星将在美国加大投资，建设芯片工厂为苹果提供芯片，这件事还是美国总统访韩国时双方投资谈判计划的一部分，不过三星官方已经否认了在美国建厂的传闻。
三星表示该公司目前不会扩大在美国的工厂，更希望在韩国本土建立高纯度氟化氢工厂。
高纯度氟化氢是半导体制造生产过程中所需的重要材料，700多道工艺中有50多道工艺都要用到氟化氢来清洗或者蚀刻晶圆、设备，目前韩国公司主要依赖日本公司的供应。
值得一提的是今年三星、西数、东芝、美光等公司都宣布了旗下96层堆栈的3D闪存量产的消息，digitimes报道称这些厂商正在积极改进96层闪存的良率，有望在2020年成为市场的主流。
消息人士爆料称，96层堆栈的3D闪存今年将占到产能的30%，不过随着厂商加快技术转型并提高良率，明年96层闪存的产能将超过64层闪存。
今年由于闪存不断跌价，闪存厂商已经开始削减产能以减少市场供应，其中美光将产能削减从5%扩大到10%，SK海力士也预估今年的产能比2018年减少10%以上。
三星电子最近也调整了生产计划以应对日本对韩国发起的半导体材料管制措施。
消息人士认为，主要的NAND厂商的减产计划主要是降低64层闪存及成熟产品的生产。
除了96层堆栈的闪存之外，多家NAND厂商还交付了120/128层堆栈的NAND闪存样品，预计128层堆栈的闪存竞争将在2019年下半年到2020年展开。
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