晶体管IPD320N20N3 GOptiMOSTM3功率晶体管特性•n通道，晶体管IPD320N20N3 G正常电平•卓越的门电荷x RDS(on)产品(FOM)·极低开阻RDS(on)•工作温度175℃•无铅电镀;晶体管IPD320N20N3 G符合RoHS要求•符合JEDEC1)目标申请•适用于高频开关和同步整流除非另有规定，晶体管IPD320N20N3 G否则在Tj=25℃时的最大额定值参数符号条件单位持续漏电流ID TC=25°C 34 ATC 24 = 100°C
脉冲漏电流t2) ID，脉冲TC=25°C 136雪崩能量，单脉冲EAS ID=34 A, RGS=25 W 190 mJ
反向二极管dv / dt dv / dt 10 kV /µs栅源电压VGS±20v功率损耗系数TC=25°C 136 W操作和储存温度Tj, Tstg -55…175°CIEC气候类别;DIN IEC 68-1 55/175/562)参见图3价值1)J-STD20 JESD22
VDS 200 V RDS(打开)，最大32mw ID 34a产品目录IPD320N20N3 G型包PG-TO252-3这标志着320年n20n
热特性热电阻，接线盒RthJC - - 1.1 K/WRthJA最小的足迹- - - 756平方厘米冷却面积a3) - - - 50
除非另有说明，否则在Tj=25℃时的电气特性静态特征漏源击穿电压V(BR)DSS VGS=0 V, ID=1 mA 200 - - V门阈值电压vg VDS公司(th) = vg ID = 90µA 2 3 4零栅电压漏电流IDSSVDS=160 V, VGS=0 V, Tj=25℃1 - 0.1µAVDS=160 V, VGS=0 V, Tj=125℃100 - 10栅源泄漏电流IGSS VGS= 20v, VDS= 0v - 1100na
漏源通态电阻RDS(on) VGS= 10v, ID= 34a - 2732mw
栅极电阻RG - 2.5 - W跨导gfsVDS | | > | 2 | ID RDS(上)马克斯,ID = 342855 - S值热阻，结环境3)设备40毫米x 40毫米x 1.5毫米环氧PCB FR4 6平方厘米(一层,70µm厚)铜流失
