士兰微MOS管SVF4N65F/SVF4N65MJ/SVF4N65D,只做原装，可开13%增值税票！！！！！
士兰微电子 SVF4N65CAF/D/M/MJ 说明书 4A 、650V N沟道增强型场效应管
SVF4N65F/D/M/MJ N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体
管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进 1 的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的 3 开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
1.栅极 2.漏极 3.源极 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压H 桥PWM 马达驱动。
1 2 1 2 3 3 特点 TO-251J-3L TO-251D-3L w 4A ，650V ，R =2.3Ω@V =10V DS(on) （典型值） GS w
低栅极电荷量 1 w 低反向传输电容 3 1 2 3 TO-252-2L TO-220F-3L w 开关速度快 w 提升了dv/dt 能力
命名规则 S V F X N E X X C A X 封装外形标识。
例如： F:TO-220F-3L; D:TO-252; M:TO-251D; MJ:TO-251J 士兰F-Cell工艺 VDMOS产品标识 版本
额定电流标识,采用1-2位数字； 额定耐压值，采用2位数字 例如:4 代表4A,10 代表 10A,
例如：60表示600V,65表示650V 08 代表0.8A 特殊功能、规格标识，通常省略 沟道极性标识，
N代表N 沟道 例如：E 表示内置了ESD保护结构 产品规格分类 产 品 名
成长助学”是专门为城镇特困家庭孩子和外来工子女共同设立的一个以助学为主的帮扶项目。
该项目通过筹募资金，尽可能协助他们完整享受至初中阶段的义务教育权利。
同时向城镇底层人群中的最困难孩子，如孤儿、单亲孩子、残疾孩子、重病患者等，尽可能提供更多的救济款以及完全保障。
建立这样的分会有两个目的，第一是造福地方，第二是在危难时刻能够达到地方自救的作用。
“成长助学”于2011年6月由厦门义工俱乐部率先在厦门地区运作，随后在2012年5月福建义工俱
乐部全省九地市分会全部启动。该项目在厦门有三年的历史了，先后资助了上百位贫困学子
，张复星会长表示未来将会持续资助贫困学子，不光是在资金上，更需要为他们在学业及品德上提供更多的帮助。
同时他也希望能有越来越多的人加入到助学的队伍来。
