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MT47H32M16NF-25E:H

发布时间:2019/7/21 19:25:00 访问次数:163 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





功能说明:MT47H32M16NF-25E:H
DRAM芯片DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84引脚FBGA
DDR2 SDRAM采用双数据速率架构,可实现高速运行。双倍数据速率架构本质上是一个4n预取架构,带有接口设计用于在I / O球的每个时钟周期传输两个数据字。单身DDR2 SDRAM的READ或WRITE操作实际上包含一个4n位的单个,内部DRAM核心的两个时钟周期数据传输和四个相应的在I / O球上进行n位宽,半个时钟周期的数据传输。双向数据选通(DQS,DQS#)与数据一起在外部传输用于接收器的数据捕获。 DQS是DDR2 SDRAM传输的选通脉冲在READ期间和WRITE期间的存储器控制器。 DQS与边缘对齐READ的数据和WRITE数据的中心对齐。 x16产品有两个数据选通脉冲,一个用于低位字节(LDQS,LDQS#),另一个用于高位字节(UDQS,UDQS#)。DDR2 SDRAM采用差分时钟(CK和CK#)工作;跨越CK变为高电平且CK#变为低电平将被称为CK的上升沿。命令(地址和控制信号)在CK的每个上升沿登记。输入数据在DQS的两个边沿都被注册,输出数据被引用到两个边缘DQS以及CK的两个边缘。对DDR2 SDRAM的读写访问是面向突发的;访问从选定的开始位置并继续编程的编程数量的位置序列。访问以ACTIVATE命令的注册开始,然后是然后是READ或WRITE命令。注册的地址位与ACTIVATE命令用于选择要访问的库和行。地址与READ或WRITE命令一致的寄存位用于选择银行和突发访问的起始列位置。DDR2 SDRAM提供四个或四个可编程读取或写入突发长度八个地点。 DDR2 SDRAM支持用另一个中断8的突发读取用另一次写入读取或写入8次突发写入。可以启用自动预充电功能提供在突发访问结束时启动的自定时行预充电。与标准DDR SDRAM一样,DDR2 SDRAM采用流水线式多库架构实现并发操作,从而通过隐藏提供高效,有效的带宽行预充电和激活时间。提供自刷新模式以及省电,省电模式。所有输入均与SSTL_18的JEDEC标准兼容。全部驱动强度输出与SSTL_18兼容。


特征:MT47H32M16NF-25E:H
•VDD = 1.8V±0.1V,VDDQ = 1.8V±0.1V
•JEDEC标准1.8V I / O(兼容SSTL_18)
•差分数据选通(DQS,DQS#)选项
•4n位预取架构
•x8的重复输出选通(RDQS)选项
•DLL用于将DQ和DQS转换与CK对齐
•8个内部银行同时运营
•可编程CAS延迟(CL)
•发布CAS附加延迟(AL)
•WRITE延迟= READ延迟 - 1 t
CK
•可选突发长度(BL):4或8
•可调节的数据输出驱动强度
•64ms,8192周期刷新
•片上终端(ODT)
•工业温度(IT)选项
•汽车温度(AT)选项
•符合RoHS标准
•支持JEDEC时钟抖动规范


制造商:MT47H32M16NF-25E:H
Micron Technology
产品种类:
动态随机存取存储器
RoHS:
详细信息
类型:
SDRAM - DDR2
数据总线宽度:
16 bit
组织:
64 M x 16
封装 / 箱体:
FBGA-84
存储容量:
1 Gbit
最大时钟频率:
800 MHz
电源电压-最大:
1.9 V
电源电压-最小:
1.7 V
电源电流—最大值:
95 mA
最小工作温度:
0 C
最大工作温度:
+ 85 C
系列:
MT47H
封装:
Tray
商标:
Micron
安装风格:
SMD/SMT
湿度敏感性:
Yes
产品类型:
DRAM
工厂包装数量:
1368
子类别:
Memory & Data Storage

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