产品描述：NTF2955T1G
功率MOSFET
-60 V，-2.6 A，单P沟道SOT-223
产品特征：NTF2955T1G
•低RDS（on）设计
•在雪崩和换向模式下能够承受高能量
•符合AEC-Q101标准 - NVF2955
•这些器件是无铅的，符合RoHS标准
应用：NTF2955T1G
• 电源
•PWM电机控制
•转换器
• 能源管理
制造商:NTF2955T1G
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-223-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻:
185 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
2 V
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Qg-栅极电荷:
14.3 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
2.3 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.57 mm
长度:
6.5 mm
系列:
NTF2955
晶体管类型:
1 P-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
3.5 mm
商标:
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值:
1.77 S
下降时间:
38 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
7.6 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
65 ns
典型接通延迟时间:
11 ns
单位重量:
250 mg
