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MMUN2131LT1G

发布时间:2019/7/18 16:16:00 访问次数:137

数据列表 MUN(2,5)131, MMUN2131L, DTA123Exx, NSBA123EF3;

标准包装MMUN2131LT1G-ND;part_id=4848771;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" /> 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
系列 -


规格 晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基底(R1) 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2) 2.2 kOhms
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 8 @ 5mA,10V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 5mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 246mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

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