晶体管的分类
晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（Bipolar Transistor 简称BJT）和场效应晶体管（Field Effect Transistor 简称FET）。
双极性晶体管（BJT）是由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体管，它的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector），有NPN型管和PNP型管两种类型：
场效应晶体管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路，它的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。有结型场效应管（Junction FET，简称JFET ）和绝缘栅场效应管（Metal-oxide Semiconductor FET，简称MOS管）两种类型：
随着晶体管的应用，TO封装技术也开始发展，从塑料材质，到金属材质，不同的厂家TO封装有不同的命名，但命名规则都是由封装代号+管脚数组成：例如：TO-220-5，其中TO-220表示封装的代号，后面的5表示其管脚数。
