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SQM100P10-19L_GE3

发布时间:2019/7/9 14:37:00 访问次数:50 发布企业:深圳市嘉轩电子科技有限公司

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 93 A

Rds On-漏源导通电阻: 15.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 350 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

封装: Tube

系列: SQ

晶体管类型: 1 P-Channel

商标: Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值: 50 S

下降时间: 30 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 21 ns

工厂包装数量: 800

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 110 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

单位重量: 2.200 g

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