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供应门驱动器CSD97396Q4M

发布时间:2019/7/9 14:03:00 访问次数:53 发布企业:深圳市旺财半导体有限公司

门驱动器CSD97396Q4M同步降压NexFET™电源级

1 .在15 A·Ultrabook/Notebook DC/DC转换器上,系统效率超过93%;和计算系统•高密度——儿子3.5毫米×4.5毫米足迹•超低电感包3描述•System-Optimized PCB足迹驱动器CSD97396Q4MNexFET™功率级是一个•超低静止(ULQ)当前模式高度优化的设计中使用的大功率、高•3.3 V和5 V密度同步buck变换器PWM信号兼容。本产品集成驱动芯片和NexFET技术,以•二极管仿真模式与FCCM实现功率级切换功能。输入电压高达24v的驱动芯片内置可选二极管仿真三态PWM输入功能,使DCM操作提高光负载效率。此外,驱动IC支持•集成引导二极管ULQ模式,支持连接待机•射穿保护Windows®8。PWM输入的三态”、“通过无铅认证——无铅镀终端静态电流降低到130µA,立即响应。当跳过#举行三态”、“无卤素电流降低到8µA(通常需要20µs恢复开关)。这种组合产生一个高电流,高效率,高速开关装置在一个小3.5×4.5毫米轮廓包。此外,PCB的足迹被优化,以帮助减少设计时间和简化完成整个系统的设计功率级驱动器CSD97396Q4M是一个高度优化的设计,用于同步降压应用使用NexFET设备与5 V门驱动器。控制场效应晶体管(FET)和同步场效应晶体管(FET)硅是参数调谐,以产生最低的功率损失和最高的系统效率.

驱动器CSD97396Q4M外部VDD电压需要提供集成的栅驱动器IC,并为mosfet提供必要的栅驱动器电源。1µF 10 V X5R或更高的陶瓷电容器建议绕过VDD PGND销。还包括一个为控制场效应晶体管提供栅驱动电源的引导电路。驱动控制场效应晶体管的引导电源是通过在引导和BOOT_R引脚之间连接一个100nf 16v X5R陶瓷电容器而产生的。一个可选的RBOOT电阻可以用来降低控制FET的开启速度,并减少VSW节点上的电压峰值。一个典型的1Ω4.7Ω值是一个开关损耗和甚短波峰值振幅之间的妥协。

7.3.2欠压锁定(UVLO)保护UVLO比较器对VDD电压水平进行评估。随着VVDD的提高,控制场效应晶体管和同步场效应晶体管门一直保持在较低的位置,直到VVDD达到较高的UVLO阈值(VUVLO_H)。,然后驱动程序开始工作,并响应PWM和跳过#命令。如果VDD低于较低的UVLO阈值(VUVLO_L = VUVLO_H -滞后),则设备将禁用驱动程序,并将控制场效应晶体管和同步场效应晶体管门的输出积极地压低



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