产品描述：TLC274CDR
TLC274CDR和TLC279四通道可操作放大器结合了广泛的输入偏移具有低偏移电压漂移的电压等级，高输入阻抗，低噪声和速度
接近通用BiFET的那个设备。这些设备使用德州仪器硅酸盐LinCMOS技术，提供偏置电压稳定性远远超过稳定性可与传统的金属门一起使用
流程。极高的输入阻抗，低偏置电流和高转换速率使这些具有成本效益的设备，非常适合应用以前保留给BiFET和NFET产品。四种偏移电压等级
可用（C后缀和I后缀类型），范围从低成本的TLC274CDR（10 mV）到高精度
TLC279（900μV）。这些优点，在结合良好的共模抑制和电源电压抑制，使这些设备作为最先进设计的最佳选择以及升级现有设计。
产品特性：TLC274CDR
修剪偏移电压：
TLC279。 。 。在25°C时最大900μV，
VDD = 5 V.
输入偏移电压漂移......通常
0.1μV/月，包括前30天
宽范围的电源电压
指定温度范围：
0°C至70°C。 。 。 3 V至16 V.
-40°C至85°C。 。 。 4 V至16 V.
-55°C至125°C。 。 。 4 V至16 V.
单电源供电
共模输入电压范围
延伸到负轨下方（C-Suffix
和I-Suffix版本）
低噪声...通常为25 nV /√Hz
在f = 1 kHz
输出电压范围包括负值轨
高输入阻抗。 。 。 1012Ω典型
ESD保护电路
小型封装选项也
有卷带可供选择
设计闩锁免疫
制造商:TLC274CDR
Texas Instruments
产品种类:
精密放大器
RoHS:
详细信息
系列:
TLC274
通道数量:
4 Channel
GBP-增益带宽产品:
1.7 MHz
SR - 转换速率 :
3.6 V/us
CMRR - 共模抑制比:
65 dB to 80 dB
Ib - 输入偏流:
60 pA
Vos - 输入偏置电压 :
10 mV
en - 输入电压噪声密度:
25 nV/sqrt Hz
电源电压-最大:
16 V
电源电压-最小:
3 V
工作电源电流:
675 uA
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 125 C
关闭:
No Shutdown
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-14
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
放大器类型:
Precision Amplifier
高度:
1.58 mm
输入类型:
Rail-to-Rail
长度:
8.65 mm
产品:
Precision Amplifiers
电源类型:
Single
技术:
LinCMOS
宽度:
3.91 mm
商标:
Texas Instruments
工作电源电压:
3 V to 16 V
Pd-功率耗散:
950 mW
产品类型:
Precision Amplifiers
工厂包装数量:
2500
子类别:
Amplifier ICs
商标名:
LinCMOS
电压增益 dB:
87.23 dB
单位重量:
122.400 mg
