特性■主要-涌流主动管理的权力限制很低的待机电流- 3.0 v CMOS兼容的输入-优化电磁发射电磁敏感度很低-符合欧盟2002/95 / EC指令■诊断功能-排水明沟状态输出通路状态打开负载检测-断开的打开负载检测热关机指示■-关闭欠压过压保护夹-输出坚持Vcc检测负载电流限制。快速热瞬态的自限制。防止地面损失和VCC热关闭损失的保护
■所有类型的电阻、电感和电容负载描述VN5160S-E是一个采用STMicroelectronics VIPower M0-5技术制造的单片器件。它的目的是驱动电阻或感应负载与一侧接地。有源VCC电压钳保护装置免受低能量尖峰。当STAT_DIS处于打开状态或低驱动状态时，该设备检测打开状态和关闭状态下的负载情况。在off状态下检测到短路到VCC的输出。当STAT_DIS驱动高时，状态处于高阻抗状态。输出电流限制保护装置在过载状态。在长时间过载的情况下，该设备限制耗散功率到安全水平，直到热关机干预。自动重启热关机功能，使设备在故障状态消失后立即恢复正常运行。解决方案1:接地线电阻(仅限RGND)，可用于任何负载类型。下面是关于RGND电阻尺寸的说明。1. RGND 600mV / (IS(on)max) 2。RGND VCC) / (-IGND)，其中-IGND为直流反向地脚电流，可以在设备数据表的绝对最大额定值部分找到。RGND中的功耗(当VCC<0:在反向电池的情况下)为:PD= (-VCC)2/ RGND，该电阻可以在几个不同的hsd中共享。请注意，该电阻器的值应按式(1)计算，其中(on)max为不同器件的最大开态电流之和。请注意，如果微处理器地面不是由设备地面共享的，那么RGND将在输入阈值和状态输出值中产生一个移位(is (on)max * RGND)。这一变化将取决于多少设备是在几个高侧驱动程序共享相同的RGND的情况下。如果计算的功耗导致一个大电阻或多个设备必须共享一个电阻，那么ST建议使用解决方案2(见下文)
