公司：深圳市力拓辉电子有限公司
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产品图片
产品参数
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Dual
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Infineon Technologies
最小包装：4000
