FZT853TA

产品描述：FZT853TA

SOT223中的100VNPN中等功率晶体管

产品特征：FZT853TA

BVCEO>100V

IC=6A高连续集电极电流

ICM=10A峰值脉冲电流

低饱和电压VCE（SAT）<150mV@2A

对于低等效导通电阻，RCE（SAT）=50mΩ

HFE指定高达10A的高增益保持

互补PNP类型：FZT953

无铅表面处理;符合RoHS标准（注1和2）

卤素和无锑。“绿色”装置（注3）

符合AEC-Q101高可靠性标准

机械数据：FZT853TA

案例：SOT223

表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。UL可燃性等级94V-0

湿度敏感度：J-STD-020的1级

端子：表面处理-磨砂镀锡引线。可焊接的MIL-STD-202，方法208

重量：0.112克（近似值）

制造商 DiodesIncorporated
制造商零件编号 FZT853TA
描述 TRANSNPN100V6ASOT-223
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 12周
详细描述 双极-BJT-晶体管-NPN-pval-2103-pval-2101-130MHz-pval-2109-表面贴装-SOT-223
一般信息 数据列表 FZT851,853;

标准包装 1,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-双极(BJT)-单
系列 -


规格 晶体管类型 NPN
电流-集电极（Ic）（最大值） 6A
电压-集射极击穿（最大值） 100V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值） 340mV@500mA，5A
电流-集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值） 100@2A，2V
功率-最大值 3W
频率-跃迁 130MHz
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223