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LMBT5551LT1G

发布时间:2019/6/15 15:28:00 访问次数:193 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:LMBT5551LT1G

高压晶体管


产品特征:LMBT5551LT1G

提供无铅封装。


生命周期:LMBT5551LT1G

量产

欧盟RoHS

欧盟RoHS版本

2011/65/EU

零件编号代码

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描述

TransGPBJTNPN40V0.2A1000mW3引脚SOT-23T/R.

分类

二极管,晶体管和晶闸管>双极晶体管>GPBJT

产品面世日期

2004-09-1500:00:00

ECCN

EAR99

供应商笼子代码

SXE51

HTSUSA

8541290075

类型

NPN

组态

每个芯片的元素数量

1

最大集电极基准电压

60V

最大发射极基准电压

6V

最大集电极-发射极电压

40V

最大直流集电极电流

0.2A

最大功耗

1000MW

最小直流电流增益

40@0.1毫安1V@|@70@1毫安1V|100@10毫安1V@|@60@50毫安1V|30@100mA在1V

最大过渡频率

300(最小值)兆赫

类别:LMBT5551LT1G

双极小信号

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150℃

基本包装类型

引线框架SMT

包裹姓氏

SOT-23

供应商包装

SOT-23

包装说明

小外形晶体管

铅形状

鸥翼

针数

3

PCB

3

包装长度(mm)

2.9

包装宽度(mm)

1.3

包装高度(mm)

0.94

安装

表面贴装

封装外形

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波浪温度。资源

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