FDC6301N

产品描述：FDC6301N

FDC6301N:双N沟道数字FET

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。由于不要求偏压电阻，此类N沟道FET能替代多种具有不同偏压电阻的数字晶体管。

产品特性：FDC6301N

25V、0.22A（连续值）、0.5A（峰值）

RDS(ON)=5Ω@VGS=2.7V

RDS(ON)=4Ω@VGS=4.5V

栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。VGS(th)<1.5V

栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。>6kV人体模型

应用：FDC6301N

该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。

制造商 ONSemiconductor
制造商零件编号 FDC6301N
描述 MOSFET2N-CH25V0.22ASSOT6
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 37周
详细描述 2-个-N-沟道（双）-Mosfet-阵列-25V-220mA-700mW-表面贴装-SuperSOT™-6

一般信息

数据列表 FDC6301N;

标准包装FDC6301NTR-ND;part_id=965279;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-阵列
系列 -

规格

FET类型 2个N沟道（双）
FET功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 220mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 4欧姆@400mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1.5V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 0.7nC@4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 9.5pF@10V
功率-最大值 700mW
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 SuperSOT™-6