LF356MX/NOPB标准双极晶体管(BI-FET™技术)。这些放大器特性低输入偏置和偏置电流/低偏移电压和补偿电压漂移,再加上偏移量调整,不降低漂移或模抑制。设备也为高转换速率,宽的带宽,沉淀时间极快,低电压和电流噪声和低1 / f噪声。
优势
场效应晶体管取代昂贵的混合和模块
放大器
崎岖的jfet灭允许自由处理
相比之下,MOSFET的输入设备
优秀的低噪声的应用程序使用
高或低Impedance-Very来源
低1 / f的角落
抵消不降低漂移或调整
在大多数模抑制
单片放大器
新的输出级允许使用
电容负载(5000 pF)不稳定
问题
内部补偿和大的差异
输入电压的能力
共同的特征
低输入偏置电流:30
低输入偏置电流:3
高输入阻抗:1012Ω
低输入噪声电流:0.01 pA /√赫兹
高共模抑制比:100分贝
大型直流电压增益:106分贝
常见的特征
极快沉淀时间:0.01%
4μs LFx55设备
1.5μs LFx56
1.5μs LFx57 (AV = 5)
快速转换速度:
5 V /μs LFx55
12 V /μs LFx56
50 V /μs LFx57 (AV = 5)
宽增益带宽:
2.5 MHz LFx55 de
LF356MX/NOPB制造商: Texas Instruments
产品种类: 运算放大器 - 运放
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
电源电压-最大: 36 V
通道数量: 1 Channel
GBP-增益带宽产品: 5 MHz
SR - 转换速率 : 12 V/us
CMRR - 共模抑制比: 80 dB to 100 dB
Ib - 输入偏流: 50 pA
Vos - 输入偏置电压 : 10 mV
电源电压-最小: 10 V
工作电源电流: 5 mA
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 70 C
关闭: No Shutdown
系列: LF356
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel LF356MX/NOPB
高度: 1.45 mm
输入类型: Rail-to-Rail
长度: 4.9 mm
产品: Operational Amplifiers
电源类型: Dual
技术: BiFET
宽度: 3.9 mm
商标: Texas Instruments
en - 输入电压噪声密度: 15 nV/sqrt Hz at +/- 15 V
In—输入噪声电流密度: 0.01 pA/sqrt Hz
最大双重电源电压: +/- 18 V
最小双重电源电压: +/- 5 V
工作电源电压: 10 V to 36 V, +/- 5 V to +/- 18 V
Pd-功率耗散: 380 mW
产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 80 dB
工厂包装数量: 2500
子类别: Amplifier ICs
电压增益 dB: 106.02 dB
单位重量: 187 mg
