产品描述：FDV301N
FDV301N：N沟道数字FET
此N沟道逻辑电平增强模式场效应应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度，DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。由于不需要偏压电阻，这一N沟道FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
产品特性：FDV301N
25V，0.22A持续电流，0.5A峰值电流.RDS（ON）=5Ω@VGS=2.7V，RDS（ON）=4Ω@VGS=4.5V.
栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行.VGS（th）<1.5V。
栅-源齐纳二极管增强耐静电放电（ESD）能力。>6kV人体模型。
极低的栅极驱动要求允许在3V电路中直接操作。VGS（th）<1.06
用于ESD耐用性的栅源齐纳二极管。
>6kV人体模型
用一个DMOSFET替换多个NPN数字晶体管
应用：FDV301N
该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。
制造商 ONSemiconductor制造商零件编号 FDV301N
描述 MOSFETN-CH25V220MASOT-23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 42周
详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-220mA（Ta）-350mW（Ta）-SOT-23
一般信息
数据列表 FDV301N;标准包装
包装
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 -
规格
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 220mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 2.7V，4.5V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 4欧姆@400mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1.06V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） .7nC@4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 9.5pF@10V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Ta）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
