产品描述：DMC2038LVT-7
DMC2038LVT-7，该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻
（RDS（ON））并且仍然保持卓越的开关性能
是高效电源管理应用的理想选择
产品特性：DMC2038LVT-7
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
快速切换速度
完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2）
卤素和无锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准
PPAP能力（注4）
应用：DMC2038LVT-7
电机控制
电源管理功能
DC-DC转换器
背光
机械数据：DMC2038LVT-7
案例：TSOT26
表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。
UL可燃性分类等级94V-0
湿度敏感度：J-STD-020的1级
端子哑光锡退火铜引线框架。
可根据MIL-STD-202，方法208进行焊接
终端连接指示灯：请参见图表
重量：0.013克（近似值）
制造商零件编号 DMC2038LVT-7
描述 MOSFETN/P-CH20VTSOT26
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 24周
详细描述 N-和-P-沟道-Mosfet-阵列-20V-3.7A-2.6A-800mW-表面贴装-TSOT-26
一般信息 数据列表 DMC2038LVT;
标准包装
包装
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-阵列
系列 -
规格 FET类型 N和P沟道
FET功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 3.7A，2.6A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 35毫欧@4A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 17nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 530pF@10V
功率-最大值 800mW
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 TSOT-26
