晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装
带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 52 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 20nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1312pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SuperSOT-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
