供应IPP120P04P4L-03 MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3

型号：IPP120P04P4L-03
品牌：INFINEON
封装：TO-220
批号：18+
数量：1000个




FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 340μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 234nC @ 10V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 136W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
封装/外壳 TO-220-3




SPP11N80C3
SPP20N60C3
SPW17N80C3
IRFAG50
IRS2003STRPBF
IRS2304STRPBF
IMT4T108
IPB200N25N3G
IPB180P04P4L-02
IR2110L4SCB
IPD60R2K1CE
IPI90R1K2C3
IRFF130
TMU4N60G
IPP120P04P4L-03
IPB180N04S3-02
BSC066N06NS
IRFM260SCX
IRMCF171TR
BSC066N06NSATMA1
IKA15N60T
IPP65R600C6
IPB107N20N3G
IPB107N20N3G
BSZ019N03LS
XMC1100-T016F0016AA
XMC1302-T038X0032AB
XMC1402-T038X0032AA
XMC4108-F64K64BA
IGCM15F60GA
IKCS12F60F2C
MDD4N60RH




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