供应L2N7002DW1T1G/小信号MOSFEO 115毫安,60伏

供应L2N7002DW1T1G/小信号MOSFEO 115毫安,60伏，原装进口现货 ，长期代理 ，价格优惠 欢迎采购 13699859868 微信同号。 电特性 除非另有注明(TA = 25°C) 特征 象征 最小值 Typ 马克斯 单位 从特征 漏源极击穿电压 (V GS = 0,我 D = 10 μAdc) 漏极电流零门电压 (V GS V = 0, DS = 60伏直流电) Gate-Body泄漏电流,前进 (V GS = 20伏直流电) Gate-Body泄漏电流,反向 (V GS = -20伏直流电) T J = 25°C T J = 125°C V (BR)DSS 我 DSS 我 GSSF 我 GSSR 60 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 1.0 500年 One hundred. -100年 直流 μAdc nAdc nAdc 在特征 (注2)。 门阈值电压 (V DS = V GS ,我 D = 250 μAdc) 开态漏极电流 (V DS ≥ 2.0 V DS(上) ,V GS = 10伏直流电) 静态漏源极电压使用状态 (V GS = 10 Vdc,我 D = 500 mAdc) (V GS = 5.0 Vdc,我 D = 50 mAdc) 静态漏源极开态电阻 T C = 25°C (V GS = 10 V,I D = 500 mAdc) T C = 125°C (V GS = 5.0 Vdc,我 D = 50 mAdc)T C = 25°C T C = 125°C 向前跨导 (V DS ≥ 2.0 V DS(上) ,我 D = 200 mAdc) V GS(th) 我 D(上) V DS(上) - - - - - - - - - - - - r DS(上) - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - G FS 80年 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 7.5 13.5 7.5 13.5 - - - - - - mmhos - - - - - - - - - - - - 3.75 0.375 欧姆 1.0 500年 - - - - - - - - - - - - 2.5 - - - - - - 直流 马 直流 动态特性 输入电容 (V DS = 25 Vdc,V GS = 0,f = 1.0 MHz) 输出电容 (V DS = 25 Vdc,V GS = 0,f = 1.0 MHz) 反向传输电容 (V DS = 25 Vdc,V GS = 0,f = 1.0 MHz) C 国际空间站 C oss C rss - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 50 25 5.0 pF pF pF 开关的特点 (注2)。 开机延迟时间 断开延迟时间 (V DD = 25 Vdc,我 D ^ 500 mAdc, R G = 25 Ω, R l = 50 Ω, V 创 = 10 V) t d(上) t d(下) - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 20. 40 ns ns BODY-DRAIN二极管评级 二极管正向电压 (我 年代 = 11.5 mAdc,V GS = 0 V) 源电流连续 (身体二极管) 源电流脉冲 2。 脉冲测试:脉冲宽度 ≤ 300年 μs, 工作周期 ≤ 2.0%。 V SD 我 年代 我 SM - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -1.5 -115年 -800年 直流 mAdc mAdc