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Texas Instruments CSD88584Q5DC 40V半桥NexFET电源块是一款经过优化、用于大电流电机控制应用的设计。 这些应用包括手持无线园艺和电动工具等。 该器件采用TI获得专利的堆叠裸片技术，以最大限度地减小寄生电感，同时提供完整的半桥。 另外，该器件还采用节省空间的热增强型DualCool™ 5mm × 6mm封装。 利用暴露的金属顶部，该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从PCB带走， 从而在许多电机控制应用要求的较高电流下实现出色的热性能。
特性
半桥电源块
高密度SON 5mm × 6mm占位尺寸
低RDS(ON)，可实现最小的导通损耗
电流为35A时，PLoss为2.4W
DualCool™热增强型封装
超低电感封装
符合RoHS指令
无卤素
端子无铅电镀
应用
无刷直流电机控制三相桥
高达8s的电池电动工具
其他半桥和全桥拓扑
CSD88584Q5DC 制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-CLIP-22
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: -
Rds On-漏源导通电阻: 680 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 137 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: PowerBlock
Pd-功率耗散: 12 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: CSD88584Q5DC
商标: Texas Instruments
下降时间: 17 ns
上升时间: 24 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
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