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PT4211

发布时间:2018/1/2 12:29:00 访问次数:343 发布企业:深圳市哲瀚电子科技有限公司

PT4211是连续模式电感降压转换器,设计用于驱动一个或多个串联的LED的电压源电压高于LED。该装置的工作电压为5V和30V的输入电源之间提供了一个高达350mA的外部可调输出电流。

PT4211包括输出开关和一个高端输出电流检测电路,它使用一个外部电阻来设定标称平均输出电流,以及一个专用的DIM输入接受宽范围的脉冲调光。施加电压0.4V或低的DIM引脚关掉输出和开关器件进入低电流待机状态。内置软过温保护保护装置,防止过温损坏。

PT4211在SOT23-5封装是可用的。

特点:

简单低元件数

宽范围输入电压:5V电压

达350mA的输出电流

PWM调光

3%输出电流精度。

最高开关频率为1MHz

典型3%输出电流精度

固有的开路LED保护

效率高(达93%)

调节恒定的LED电流

高边电流检测

滞环控制:无补偿

软过温保护

应用:汽车照明备用照明的LED 照明标志

研调机构IC Insights发布最新报告指出,DRAM厂于2017年第4季的销售金额将创下历史新高峰,预估达到211亿美元,较2016年第4季的128亿美元大增65%。IC Insights表示,据历史经验来看,DRAM产业在不久的将来,可能经历长期间的景气向下格局,因随着DRAM产能增加,今年价格将开始下滑,跌势更恐达2年之久。

回顾2017年,受惠于数据中心需求,带动服务器DRAM明显升温,同时智能手机与其他移动装置产品采用低功耗高密度DRAM也同步成长,2017年DRAM价格报价一路上扬,到了第4季依旧强势,IC Insights预估,2017年第4季DRAM销售金额将达到211亿美元,年增65%,创下历史新高纪录。

IC Insights预估,2017年DRAM市场的年增率将达到74%,突破310亿美元的规模,如此的历史新纪录,主要有5大因素激励,包括存储器供应商产能供给有限、20纳米以下技术困难度提高、绘图型DRAM、服务器DRAM以及移动式DRAM的需求成长。

以移动存储器为例,智能手机搭载DRAM存储器容量不断提升,苹果iPhone 8具有2GB的DRAM,iPhone X具有3GB的DRAM。三星Galaxy S8采用4GB DRAM。华为的P10 Plus和HTC的U11都配备了6GB的DRAM。来自新加坡的主要以视频游戏设备闻名的Razer公司的第一款智能手机One Plus 5型号更拥有8GB DRAM。

不过,IC Insights提醒,根据历史趋势来看,DRAM产业在不久的将来,可能会经历长期间的景气向下走势,因为随着产能的大幅增加以及DRAM产量的增加,价格将开始下滑,最长恐将2年之久。

三星和SK海力士公布新增资本支出所投入新DRAM产能将于2018年下半年陆续试产,这可能会缓解2018年上半年DRAM的涨势。三星的南韩平泽厂预计2018年第4季量产DRAM,SK海力士也宣布计划在中国无锡厂建设新的生产线。

IC Insights也说,DRAM前2大厂三星与SK海力士都将有新产能开出,排名第3大的美光不可能坐视不管,尤其DRAM产业竞争激烈下,美光也有可能再盖新的晶圆厂。

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