FQPF47P06这些p通道增强模式能量场效应
晶体管是用Fairchild的专有技术生产的，
FQPF47P06平面内缟,DMOS结构技术。
这种先进的技术尤其适合
最大限度地减小对状态的电阻，提供更好的切换
性能，并能承受较高的能量脉冲
雪崩和交换模式。这些设备
适用于低压应用，如汽车，
直流/直流转换器，以及高效率开关电源
可移动和电池操作产品的管理
•-30年,-60 V,RDS()= 0.026Ω@VGS = -10 V
•低门充电(典型的84 nC)
•低Crss(典型的320 pF)
•快速交换
•100%雪崩测试
•改善dv / dt的能力
•175°C最大结温评级
FQPF47P06类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET® FQPF47P06
FQPF47P06包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3600pF @ 25V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 - FQPF47P06
功率耗散（最大值） 62W（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 15A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F
封装/外壳 TO-220-3 整包
