STMicroelectronics 针对电压范围支持型应用推出功率 MOSFET
MOSFET 产品组合具有广泛的击穿电压，从 -500 V 至 1500 V 不等，并提供低栅极电荷和低导通电阻，采用先进的封装。 ST 针对高电压 MOSFET (MDmesh™) 和低电压 MOSFET (StripFET™) 的工艺技术增强了功率处理能力，从而实现了高效率的解决方案。
其广泛的产品组合的主要特性包括︰-500 V 至 1500 V 击穿电压范围 超过 30 种封装选择，包括带专用控制引脚以提高能效的 4 引脚 TO247，实现高电流能力的 H2PAK，以及得益于大型裸金属漏极焊盘而具有出色热性能的 1 mm 高表面贴装 PowerFLAT™ 5 x 6 HV 和 VHV 改进的栅极电荷和更低的功率耗散足以满足当今挑战性的能效要求 固有的快速体二极管选择，用于特定产品线 广泛的汽车级 MOSFET 产品组合
在每个电压范围内，支持的应用如开关模式电源、照明、DC-DC 转换器、电机控制和汽车设备，ST 总有合适的 MOSFET 来满足用户的设计需求。
