IKW30N60T英飞凌的TRENCHSTOP™IGBT技术导致显著改善设备的静态和动态性能由于沟顶峰和申请停止的概念。IGBT与软回收发射器控制的二极管相结合，进一步减少了损耗。最大的效率是由于在开关和传导损耗之间最好的妥协。
特征描述:
最低的V ce(坐下)降低传导损耗
低开关损耗
由于V ce的温度系数(sat)，容易的并行交换能力
非常柔软，快速恢复的反平行发射极控制二极管
强度高，温度稳定
低EMI排放
门费用低
非常紧密的参数分布
优势:
效率最高-低传导和开关损耗
IKW30N60T综合投资组合在600V和1200V的灵活性设计
设备可靠性高
目标应用:
控制
联合包裹
太阳能逆变器
主要的家用电器
焊接
空调
工业驱动
其他硬切换应用程序
