标准包装
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包装
管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™ K5
其它名称 497-15446-5
规格 FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压（Vdss） 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 690 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 44.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1370pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 250W (Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
公司名：深圳市中意法电子科技有限公司
联系人：彭文
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