DRV8870 是一款刷式直流电机驱动器，适用于打印机、电器、工业设备以及其他小型机器。 两个逻辑输入控制 H 桥驱动器，该驱动器由四个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 组成，能够以高达 3.6A 的峰值电流双向控制电机。 利用电流衰减模式，可通过对输入进行脉宽调制 (PWM) 来控制电机转速。 如果将两个输入均置为低电平，则电机驱动器将进入低功耗休眠模式。
DRV8870 具有集成电流调节功能，该功能基于模拟输入 VREF 以及 ISEN 引脚的电压（与流经外部感测电阻的电机电流成正比）。 该器件能够将电流限制在某一已知水平，这可显著降低系统功耗要求，并且无需大容量电容来维持稳定电压，尤其是在电机启动和停转时。
器件针对故障和短路问题提供了全面保护，包括欠压锁定 (UVLO)、过流保护 (OCP) 和过热保护 (TSD)。 故障排除后，器件会自动恢复正常工作。
特点：
独立的 H 桥电机
。驱动一个直流电机、一个步进电机的绕组或其他负载
6.5V 至 45V 宽工作电压范围
565mΩ（典型值）RDS(on) (HS + LS)
3.6A 峰值电流驱动能力
脉宽调制 (PWM) 控制接口
集成电流调节功能
低功耗休眠模式
小型封装尺寸
。8 引脚 HSOP 封装，带有 PowerPAD
。4.9mm × 6.0mm
集成保护特性
。VM 欠压闭锁 (UVLO)
。过流保护 (OCP)
。热关断 (TSD)
。自动故障恢复
应用：
打印机
电器
工业设备
其他机电一体化应用
当前中国集成电路的进口已超过石油进口，排在中国所有进口产品的第一位，中国大国的崛起，国家的安全离不开高端的制造业，更离不开电子产品的心脏——集成电路(芯片)。
如何实现我国的芯片国产替代，关系到中国大国的崛起。11月29日，股权投资平台——云投行携手宁波时代全芯，在深交所举办以“全球半导体业步入新常态，迎全芯时代”为主题的宁波时代全芯相变存储器项目专场路演会。
打造中国芯时代，已是大势所趋。就像制造业、家电业一样，芯片研发和生产向新兴市场迁移，我国的芯片国产替代已经势不可挡，而国际半导体大佬能做的就是加快资本注入。
国家战略
在国际上，半导体产业已经走向成熟，国际资本介入半导体产业的脚步明显放缓。与之形成反差的是，中国半导体产业近年来正上演新一轮投资热潮，龙头企业争相宣布启动收购、重组、投资建设新厂等扩张举措。
这还得从中国战略谈起。中国是全球最大的电子产品制造基地，也造就了中国成为全球最大的芯片需求市场，但目前国产芯片的自给率尚不足三成。《中国制造2025》中明确提出，2020年芯片自给率要达到40%，2025年达到50%。
为加快实现这个目标，最近国家成立了中国制造业领导小组，马凯副总理为组长，在规划的制造业中，居于首要发展的是集成电路半导体产业;2014年中国政府设立了1380亿集成电路发展专项基金。
在国家政策和导引下，中国内地各省掀起了一场发展集成电路的热潮，几乎每个省都在制订集成电路发展纲要，许多省份也都在投巨资发展集成电路，而国际芯片制造商也看准时机，伺机在中国大陆抢占市场。
例如，西安市政府与三星投资2000亿，台联电与厦门政府在厦门设工厂，合肥市投资160亿与台湾力晶在合肥设工厂，台积电在南京设工厂，更为重要的是今年国家与武汉政府合作成立了长江存储，并准备斥资240亿美元;虽然仍是发展第三代的3DNAND产品，但这些投资无一不是政府主导，足见国家对存储产业发展的重视。
我们能够看到在中国各省最近发展的半导体产业中，基本上都是以发展代工业务的台湾制造为模板，而中国作为未来在世界上可以与美国抗衡的大国，必须在半导体产业上学习美国，既要发展制造，也要发展核心设计，要真正拥有自主创新的能力及自主的知识产权，如同是拥有我们自己心脏的半导体产业一样，这也是宁波时代全芯以自主创新的第四代存储为中心的发展之路。
宁波时代全芯是中国最早获得IBM核心集成电路技术专利的民营企业，并在此基础上开发了我们自主的知识产权，也是中国唯一的一家不仅拥有自主设计知识产权，而且掌握制程工艺的半导体企业，宁波时代全芯的发展模式将是中国未来集成电路半导体行业发展的方向。
样本力量
PCM作为全球第四代存储芯片，将逐渐成为世界存储市场的主流，宁波时代全芯的PCM技术研发肇始于2009年AMT与IBM的共同开发，经过六多年投入，宁波时代全芯已完成PCM的研发与量产的准备。
目前宁波时代全芯是世界上第三家掌握PCM技术的公司，其余两家为三星和美光。2015年12月，宁波时代全芯PCM项目正式通过国家发改委高新技术司认定为国家重点支持的集成电路产业企业，并由此获得国家开发银行1.69亿元人民币的股权投资。
作为国家政策性银行的国开行资本入股宁波时代全芯，不仅体现了国家对宁波时代全芯的认可，而且极大地提升了宁波时代全芯的市场地位和融资发展能力，加速了宁波时代全芯量产和上市的步伐。
2016年9月，宁波时代全芯在产业布局上做出重大调整，由于与江苏省达成发展PCM产业的愿望，并主要投资在淮安建设PCM工厂，使得宁波AMT产业布局提前完成。
集成电路的生产工厂投资巨大，设备昂贵，没有国家和政府的支持发展异常艰难，宁波时代全芯在经过一年多的发展和融资，借助国家大力发展集成电路的大好时机，终于取得了江苏省地方政府的支持。
江苏省在国内集成电路的发展上处于领先地位，如果加上存储将使得江苏省在产业链上更加完整，在此背景下，江苏省希望宁波时代全芯在淮安落户，这与宁波时代全芯希望有政府的大力支持相契合。
在此条件下，9月14日下午，宁波时代全芯与淮安市政府签署了战略合作协议和具体实施的合作协议，签约过程在淮安市市长惠建林、副市长唐道伦的主持下进行，双方正式开始合作。根据双方规划：
项目总投资130亿元人民币，一期投资30亿元人民币，政府以引导基金并以合资企业为主体搭建融资平台解决项目资金问题，政府占股49%，AMT出资3亿元人民币，以及知识产权占股51%。项目占地270亩，全部达产后将达到年产50万片PCM存储芯片。项目在2017年底完成设备安装，2018年第二季度开始试生产。
宁波时代全芯科技有限公司董事长张龙告诉新金融总裁圈：“相变存储器被公认为第四代存储器中最为成熟的存储器，目前世界半导体巨头英特尔、IBM和三星都已经开始全面发展PCM存储器。”
张龙表示，本项目以新相变存储器专利技术为基础，力求打造全球第一个第四代存储器的生产基地，成为国内首家、世界第三家掌握第四代存储器PCM技术的公司，以相变存储器新技术为核心，打破存储产品依靠进口之使命。
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