制造商:STMicroelectronics
说明：闪存 LOW VOLT 64Mbit
M25P64-VMF6TG特点综述
■64mbit闪存
■网页程序（最多256个字节）在1.4ms
（典型的）
■扇区擦除（512kbit）
■块擦除（64mbit）
■2.7至3.6V单电源电压
■SPI兼容串行接口
■50MHz的时钟速率（最大）
■电子签名
–JEDEC标准两个字节的签名
（2017h）
指令，一个字节，签名
（16h），向后兼容性
■超过100000擦除/编程周期每
部门
■超过20年的数据保留
M25P64-VMF6TG概要描述
这是一个64mbit 25P64（8m×8）串行闪存
内存，具有先进的写保护机制，
采用高速SPI兼容的访问
总线。
内存可以被编程为1到256个字节在
一段时间，使用页面程序指令。
存储器被组织为128个扇区，每个
包含256页。每一页都是256字节
宽。因此，整个内存可以被看作是
由32768页，或8388608字节组成的。
整个内存可以被删除使用散装
擦除指令，或一次一个扇区，使用
扇区擦除指令。
信号的描述
串行数据输出（Q）。这个输出信号是
用于将数据串行输出的设备。
数据被转移到串行的下降沿
时钟（c）。
串行数据输入（D）。这个输入信号是用来
串行传输数据到设备。它接收指令，
地址，以及要编程的数据。
值被锁存在上升沿上
串行时钟（C）。
串行时钟（C）。这个输入信号提供了
串行接口的时序。指令，地址，
或数据存在于串行数据输入（D）是
锁存的串行时钟（C）的上升沿。数据
论串行数据输出（Q）后的变化
串行时钟（C）的边缘。
芯片选择（S）。当这个输入信号是高，
取消选择该设备和串行数据输出
（Q）是在高阻抗。除非内部程序，
擦除或写入状态寄存器周期
进展，该设备将在备用电源
模式。驱动芯片选择（S）低选择设备，
将它放置在有源电力模式。
上电后，芯片上的下降沿选择（S）
在任何指令开始之前。
举行（举行）。保持（保持）信号用于
暂停与设备的任何串行通信
没有选择的装置。
在保持条件下，串行数据输出
（Q）是高阻抗，和串行数据输入（D）
和Serial Clock（C）是不关心。
要启动保持条件，必须选择设备，
用芯片选择（S）驱动的Low。
写保护（W）。这种输入的主要目的
信号是冻结内存区域的大小
这是对程序或擦除保护
指令（如在BP2的规定值，
BP1和BP0位的身份登记）。
M25P64-VMF6TG操作特点
网页编程
要程序一个数据字节，需要两个指令：
写使能（雷恩），这是一个字节，
和一个页面程序（页）序列，它包括
四字节+数据。这是其次的
内部程序周期（TPP的时间）。
为了传播这种开销，页面程序（页）
指令允许多达256个字节进行编程
在一段时间（从1到0的变化位），提供
他们躺在连续的地址上
同一内存页。
扇区擦除和批量擦除
页面程序（页）指令允许位
被重置从1到0。在此之前可以应用，
内存的字节数需要已被删除所有
1s（FFH）。这可以实现一个部门在一个
时间，使用扇区擦除（硒）指令，或
在整个内存中，使用批量
擦除（是）指令。这将启动一个内部
擦除周期（时间TSE或TBE）。
擦除指令必须先有一个写
使（雷恩）指令。
在一个写，程序或擦除周期
写入状态的时间的进一步改进
登记（WRSR），计划（PP）或擦除（SE或
不是等待最坏的，是可以实现的
情况延迟（TW，TPP，TSE，或TBE）。写在
进步（WIP）位在状态登记规定
使应用程序可以监视它的
值时，轮询它来建立以前的
写周期，程序周期或擦除周期是完整的。
有功功率和备用电源模式
当芯片选择（S）是低的，选择的设备，
并在有功功率模式下。
当片选（S）高，设备被取消，
但可以保持在有源电力模式
直到所有的内部周期都完成（程序，
擦除，写入状态寄存器）。然后装置
进入备用电源模式。该装置
消费下降到ICC1。
身份登记
状态寄存器包含多个状态
和控制位，可以读取或设置（适当）
按具体说明。
WIP位。写在制品（WIP）位表示
是否内存是忙着写状态
寄存器，程序或擦除周期。
WEL位。写使能锁存器（WEL）位表示
内部写使能锁存器的状态。
BP2的，BP1，BP0位。块保护（BP2，
BP1，BP0）位的非易失性。他们定义
该地区的大小是软件保护
程序和擦除指令。
SRWD位。状态寄存器写入禁用
（SRWD）位与操作
写保护（W）信号。身份登记
写禁止（SRWD）点和写保护（W）
信号允许设备放在硬件中
保护模式。在这种模式下，非易失性位
的身份登记（SRWD，BP2的，BP1，BP0）
成为只读位。
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