PT4121是一款工作在连续电感电流导通模式的降压型恒流控制器，用于驱动一颗或多颗串联LED。PT4121输入电压范围从6V到60V，输出电流可调。 PT4121采用高端电流采样设置LED平均电流，并通过DIM引脚可以接受模拟调光和很宽范围的PWM调光。当DIM的电压低于0.3伏时，PT4121关断功率开关，进入极低工作电流的待机状态。
PT4121采用SOT23-6封装。
特点：
极少的外部元器件
很宽的输入电压范围：6V到60V
高达97%的效率
复用DIM引脚进行LED开关、模拟调光和PWM调光
可达1MHz开关频率
输出可调的恒流控制方法
3%的输出电流精度
高端电流采样
无需补偿的迟滞控制方式
RCS开路保护
LED开路/短路保护
热关断功能
低压LED射灯代替卤素灯
车载LED灯
LED备用灯、应急灯、标志灯
LED信号灯
液晶电视背光
SELV照明
三星电子(Samsung Electronics)和英特尔(Intel)将大幅拓展晶圆代工事业领域。过去掌握晶圆代工市场的台积电、格罗方德(Global Foundries)等单纯晶圆代工业者，和三星、英特尔等综合半导体企业(IDM)凭藉各自的优势，形成竞争版图。
据韩国朝鲜日报报导，三星在大陆上海举办三星晶圆代工论坛(Samsung Foundry Forum)，以海思半导体、展讯、联发科等IC设计业者为对象进行技术说明会。三星大陆负责人崔哲(音译)在100多名业界与会人士面前公开三星最尖端的10纳米、14纳米制程，并介绍8吋制程等可提升成本效益。
韩国业界认为，三星将以本次活动为起点，积极在大陆确保晶圆代工客户。三星自数年前开始逐渐降低对最大客户苹果(Apple)的依赖，为吸引新客户，扶植晶圆代工技术。2014年三星也与意法半导体(ST Microelectronics)合作，开始研发28纳米完全空乏式(depletion-type)绝缘上覆矽(FD-SOI)技术。
FD-SOI制程是在矽晶圆上制造轻薄绝缘氧化膜，再形成平面型电晶体电极的半导体制程。因外泄电流量少，用电效率最高提升近2倍，且可大幅缩减生产成本。2015年3月三星完成FD-SOI产品测试阶段，目前也完成商用化生产准备。
韩国半导体业界人士表示，移动应用处理器(AP)等高集成芯片一般会使用传统3D FinFET制成，结合类比电路的无线通讯(RF)芯片等，仍最适用FD-SOI制程。三星为生产处理器之外的芯片，一定会使用FD-SOI制程。
全球半导体龙头英特尔也宣布在晶圆代工市场上拓展领域。韩国业界先前预测英特尔2011年进军晶圆代工市场，而英特尔也透过与乐金电子(LG Electronics)、展讯、拓朗半导体(Altera)等大客户合作，正式跨足市场。近来英特尔获得ARM设计授权，2017年下半将运用10纳米制程，生产乐金手机AP产品。
三星、英特尔等IDM大厂加强对晶圆代工市场攻略的理由，是因相关市场获利性将持续成长。半导体微细制程转换逐渐进入瓶颈，IC设计业者委托生产具一定水准的芯片的成本也逐渐攀升。
外电引用市调机构IC Insights资料指出，2016年半导体整体市场将出现2%负成长，但晶圆代工领域的成长率预估有9%。
另一方面，台积电独吞逾5成市占率的晶圆代工市场版图，是否会因三星和英特尔的攻势出现变化，受到市场关注。韩国业界认为在生产效益方面，台积电、格罗方德等专门晶圆代工业者握有优势，但在微细制程、封装等高难度制程方面，三星和英特尔则较为领先。
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