数据列表 MAX133,134产品相片 44-LCC (J-Lead)
产品培训模块 Lead (SnPb) Finish for COTS
Long-Term Supply Program
标准包装 ? 500
类别 集成电路 (IC)
家庭 数据采集 - ADCs/DAC - 专用型
系列 -
包装 ? 带卷 （TR） ?
类型 ADC
分辨率（位） 3.75 位
采样率（每秒） 20
数据接口 -
电压源 双 ±
电压 - 电源 ±5V
工作温度 0°C ~ 70°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 44-LCC（J 形引线）
供应商器件封装 44-PLCC（16.51x16.51） 台积电于上月初的供应链管理论坛中，宣示二年在10纳米制程超越半导体霸主英特尔，但在同月底的国际电子元件技术研讨会（IEDM）即遭英特尔打脸，在这项半导体重要技术指标竞赛场中，英特尔的10纳米技术大幅领先台积电，业界预期台积电二年内无法超越。
此外，三星也再次展现在14纳米与台积电一拚高下的决心，三星的14纳米良率大幅提升，市场盛传三星可能挟高超的记忆体整合技术，重新赢得苹果青睐，再度携手合作下世代A9处理器，抢单的企图让台积电备感压力。
台积电不愿针对客户订单及装机作业做任何评论，一切等到法说会向对外说明。台积法说会订于本周四（15日）举行。
台积电去年即对自家16纳米鳍式场效电晶体（FinFET）技术超越竞争对手引以自豪，甚至强调16纳米制程与对手的竞赛已结束，重心全力放在10纳米FinFET等下世代先进制程研发。台积电并透过成立“夜鹰部队”，投入24小时研发无缝接轨，力拚二年内在10纳米制程一举超越英特尔，成为半导体新霸主。
台积电在IEDM展现16 FinFET+的工艺，强调芯片速度比前一代快15%、功耗低30%。不过，在10纳米FinFET与英特尔的竞赛中，台积电公布的技术却远远不及英特尔。据参与这项研讨会的半导体业者分析，台积电根本不可能在二年内超越英特尔，外传台积电可能商请退休前主掌研发的蒋尚义回锅，重新擘划未来十年技术蓝图，这也透露台积电在10纳米制程推进可能面临阻力。
去年8月，英特尔在IDF技术论坛发表14纳米FinFET制程，但台积电不甘示弱，随着推出强化版16 FinFET+，并于去年11月率先导入试产成功产出海思半导体的网通芯片，今年下半年将导入量产以安谋架构的手机应用处理器。台积电在去年的供应链管理论坛，宣示今年将再砸下逾百亿美元的资本支出，投入16纳米量产线布建及10纳米制程试产线作业。
